橋本 寿夫 | 富士通研
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概要
関連著者
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橋本 寿夫
富士通研
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冷水 佐寿
富士通研
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冷水 佐寿
富士通厚木研
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成田 信一郎
阪大基礎工
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南部 和夫
富士通研
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小林 融弘
阪大基礎工
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室 清文
阪大基礎工
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渋谷 隆夫
阪大基礎工
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森 茂
阪大基礎工
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羅 文斌
阪大基礎工
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服部 毅
阪大基礎工
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服部 毅
阪大基礎工:(現)小西六写真工業
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嶽山 正二郎
阪大基礎工
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犬石 嘉雄
阪大工
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冷水 伏寿
富士通研
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中越 明文
阪大基礎工
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樋田 光
阪大工
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井上 正宗
阪大工
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橋本 寿夫
富士通研究所
著作論文
- 30a-M-4 AlxGa_Asヘテロ接合FET二次元電子系のサイクロトロン共鳴 II
- 1a-F-4 Al_xGa_As/GaAsヘテロ接合FETの2次元電子系におけるサイクロトロン共鳴の量子極限での異常
- 1a-Pα-26 GaAs/GaAlAsヘテロ接合二次元電子ガスのサイクロトロン共鳴III
- 5a-NL-12 Al_xGa_As/GaAsヘテロジャンクションの物理的性質IV
- 30p-K-10 GaAs/Al_Ga_xAsヘテロジャンクションFETの物理的性質 II
- 30p-K-11 GaAs/Al_xGa_AsヘテロジャンクションFETの物理的性質 I : 輸送現象
- 30a-M-5 AlxGa_Asヘテロ接合FETにおける2次元電子の磁気伝導度
- 1a-F-3 Al_xGa_As/GaAs FETの遠赤外分光
- 1a-F-2 AlGa_As/GaAsヘテロ接合FETの物理的性質(磁気伝導度の測定)
- 1a-Pβ-28 Al_xGa_As/GaAsヘテロジヤンクションFETの物理的性質VI
- 1a-Pα-27 Al_xGa_As/GaAsヘテロ接合FETの物理的性質V : σ(ω)の測定
- 5a-NL-11 Al_xGa_As/GaAsヘテロジャンクションの物理的性質III(輸送現象)
- 3-5化合物MBEとデバイスへの応用 (電子材料特集号) -- (先端技術)
- 5a-NL-13 半導体ヘテロ接合界面2次元電子ガスの高速輸送現象
- 高速素子用の化合物半導体結晶 (21世紀にいどむ) -- (新素材を創る)
- Doped OxidによるSi中へのAsの拡散 : 半導体 (拡散・インプランテーション)