1a-Pα-27 Al_xGa_<1-x>As/GaAsヘテロ接合FETの物理的性質V : σ(ω)の測定
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1982-03-15
著者
-
小林 融弘
阪大基礎工
-
成田 信一郎
阪大基礎工
-
服部 毅
阪大基礎工
-
南部 和夫
富士通研
-
冷水 佐寿
富士通研
-
冷水 佐寿
富士通厚木研
-
橋本 寿夫
富士通研
-
服部 毅
阪大基礎工:(現)小西六写真工業
関連論文
- 29a-Q-6 KlにおけるV_kセンターの光吸収スペクトルの圧力依存性
- 3p-DS-5 D^-,A^+状態 VIII
- 10p-R-6 D^-状態,D^-バンドのあるときのGeのピエゾ抵抗効果
- 3a-W-5 ダイヤモンドのカラーセンターの高圧力下での蛍光スペクトル
- 30a-K-2 不純物帯の遠赤外分光(磁場効果)II
- 2a-B-9 不純物帯の遠赤外分光(磁場効果)
- 27a-A-4 不純物帯の遠赤外分光 II
- 27a-A-3 不純物帯の遠赤外分光 I
- 3p-B-4 Ge不純物帯の遠赤外分光 II
- 24aE-13 (NMe_4^+.TCNQ^)_2TCNQにおけるFTIR反射の圧力依存性
- 28a-N-7 低温高圧力下でのIII-V化合物半導体の不純物状態
- 24aYR-8 5-bromo-9-hydroxyphenalenoneの高圧力下ラマン散乱(誘電体,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 31aXJ-2 5-Bromo-9-Hydroxyphenalenon のラマン散乱
- 29a-PS-60 反強磁性単結晶基板に蒸着した磁性金属薄膜の磁性と伝導特性
- 28pZB-2 Nd^ : YLF レーザー加熱による窒素の融解曲線 III
- 29pWB-8 レーザー加熱された高圧下のセレンの分光測定
- 29pWB-1 低温高圧力下における固体酸素のラマン欧乱
- 1a-F-9 高圧力下での半導体の温度変調分光
- 4p-TC-18 高圧力下における二量体型結晶の発光
- 5a-D-6 黒リンの不純物状態
- 5a-D-5 黒リン型構造のP-As合金単結晶の光学的測定
- 4a-PS-5 AgClの高圧下での分光測定
- 3p-KG-3 黒リンの不純物状態の遠赤外分光
- 3p-KG-2 黒燐の赤外光伝導
- 14p-S-7 AgBr_Clxの励起子の圧力誘起相転移
- 2p-YH-1 大出力パルス・ルビーレーザー光照射による物質合成
- 15p-DD-5 ダイヤモンドのカラーセンターのゼロフォノン線における同位体効果
- 27a-A-7 D^-, A^+状態 XV
- 27a-A-6 D-^, A^+状態 XIV
- 28p-YS-11 H_2Oの低温・高圧下での相転移
- 28a-E-11 超強磁場におけるアントラセン励起子の磁気光効果
- 5p-F-16 Euカルコゲナイドの緩和励起状態における電子格子相互作用
- 30p-PSA-53 単結晶EuTe薄膜及びその表面への磁性薄膜蒸着の磁気抵抗効果
- 28a-K-10 Euカルコゲナイドの電気的光学的性質
- 14a-DE-12 磁性半導体Euカルコゲナイドの電子励起緩和過程II
- 30a-N-7 EuTe薄膜単結晶の強磁場ファラデー回転
- 30a-N-6 磁性半導体EuSeの電子励起緩和過程
- 30a-N-5 Euカルコゲナイドの高圧力下でのラマン散乱
- 27a-ZH-16 磁性半導体Euカルコゲナイドの高圧力下での光物性
- 25a-W-13 DBTTF-TCNQの高圧力下での光スペクトル(3)
- 3a-K-3 DBTTF-TCNQの高圧力下での光スペクトル(2)
- 31p-G-1 DBTTF-TCNQの高圧力下での光スペクトル
- 30a-G-1 ポリチオフェンの高圧力下での光吸収 II
- 6a-M-1 ポリチオフェンの高圧下での光吸収
- 4p-TC-12 AgBr_Cl_xの高圧下での分光測定II
- 11p-N-8 高圧下のGaAsのドナー状態
- 3a-G-1 低温高圧力下におけるAgBr_Cl_xの励起子発光
- 22aPS-69 α-MnS の圧力誘起相転移
- 21aPS-61 細孔をもつ銅錯体に吸着させた酸素分子の磁性
- 28aZB-4 酸素分子ラダー IV : 吸着酸素分子のラマン散乱
- 22pYQ-9 TGSの高圧下ラマン散乱
- 24pSB-4 ZnSeの圧力誘起相転移
- 23aX-8 KDPの高圧低温下ラマン散乱 II
- 22pZK-2 高圧力下におけるイオウの赤外反射測定
- 22aPS-7 低温高圧力下におけるMnOのラマン散乱
- 27aYJ-5 DKDPの高圧相転移とKDPの非晶質化
- 27aE-2 固体酸素のマグノンのラマン散乱 III
- 30p-XA-5 固体酸素のマグノンのラマン散乱 II
- 4a-A2-8 3C-SiCの光励起状態
- 4a-A2-8 3C-SiCの光励起状態
- 31p-YH-7 Zn_Mn_xS微結晶の光学特性
- 1a-Pβ-18 不純物帯の遠赤外分光(温度効果)IV
- 3a-NL-5 不純物帯の赤外分光(温度効果)III
- 30a-K-9 不純物帯の遠赤外分光(温度効果) II
- 2a-B-11 不純物帯の遠赤外分光(温度効果)
- 29p-J-1 AgCl結晶における間接自由励起子発光の探索
- 1p-A-9 低温高圧力下のアントラセンの光スペクトル
- 3a-B-10 ZnTeの吸収端の圧力依存性
- 26p-A-5 高圧下ラマン散乱による0次元水素結合系物質K_3H(SO_4)_2の温度圧力相図II
- 31a-YD-2 高圧下ラマン散乱による0次元水素結合系物質K_3H(SO_4)_2の温度圧力相図
- 6p-F-10 PbZrO_3の高圧下ラマン散乱
- 27a-M-2 固体酸素のマグノンのラマン散乱
- 1p-YX-10 低温、高圧力下の固体酸素のラマン散乱(III)
- 28a-G-5 パルスレーザー光照射による結晶作成(II)
- パルスレーザー光照射による結晶作成
- 2a-K-5 低温高圧力下におけるAgClの励起子発光II
- 5p-NE-14 低温高圧力下におけるAgClの励起子発光
- 30a-L-6 高圧におけるα-Fe_2O_3の光学測定
- 30a-M-5 AlxGa_Asヘテロ接合FETにおける2次元電子の磁気伝導度
- 1a-F-3 Al_xGa_As/GaAs FETの遠赤外分光
- 1a-F-2 AlGa_As/GaAsヘテロ接合FETの物理的性質(磁気伝導度の測定)
- 1a-Pβ-28 Al_xGa_As/GaAsヘテロジヤンクションFETの物理的性質VI
- 1a-Pα-27 Al_xGa_As/GaAsヘテロ接合FETの物理的性質V : σ(ω)の測定
- 5a-NL-11 Al_xGa_As/GaAsヘテロジャンクションの物理的性質III(輸送現象)
- 1p-YJ-1 セレンの圧力誘起金属化と赤外分光
- 圧力相転位を用いたZnMnS微結晶の作製と光学特性
- 1p-YX-13 Sulfurの圧力誘起超伝導II
- 5p-D-15 Sulfurの圧力誘起超伝導
- 27p-A-6 遠赤外吸収とラマン散乱でみた氷の陽子秩序-無秩序相転移
- 30p-D-7 低温, 高圧下における固体酸素のラマン散乱スペクトルII
- 30p-YC-1 TiO_2(anatase)のナノクリスタルの光学特性II
- 27p-C-9 MnSの反強磁性相における発光機構の圧力効果
- 27p-W-6 MnSの反強磁性状態における発光の静水圧効果
- 28a-G-4 パルスレーザー光照射による結晶生成時の温度評価
- 13a-N-11 黒リンの不純物状態の遠赤外分光
- 13a-N-10 黒燐単結晶の赤外磁気光効果
- 27a-N-3 黒リンの不純物状態の遠赤外分光
- 28p-S-11 ダイヤモンドの電界放出
- 2p-R-9 氷のXI相の赤外吸収
- 30a-G-2 ポリチオフェンの高圧力下でのラマン散乱