2p-KD-2 ポリフランの合成と電気的光学的性質
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1984-03-12
著者
関連論文
- 5p-NL-6 n-GaSb(Te)のシュブニコフ・ドハース効果
- 2AD01 スメクチック液晶内のSiO_2粒子の電界による運動
- 28a-J-1 バイロリテック高分子の電気的・磁気的性質とドーピング効果
- 30a-QA-11 ポリパラフェニレンビニレンの電気伝導、光伝導とその異方性及び熱処理効果
- 2a-K-6 音響ドメイン注入法によるHgI_2の共鳴ブリルアン散乱
- 27a-Q-2 ZnSのピエゾ複屈折と共鳴ブリルアン散乱
- 4p-K-1 ポリチォフェンの高圧力下での光吸収 III
- 3a-C-13 導電性高分子の光伝導の磁場効果とそれに及ぼすC_のドーピング効果
- 28a-J-5 フラーレンドープ導電性高分子の光伝導の磁場効果
- 26a-J-4 不斉部分に多くの双極子を持つ強誘電性液晶とその物性
- 30a-T-9 液体窒素の絶縁破壊の圧力依存性
- 30a-T-8 低温液体の電気伝導と絶縁破壊 (V)
- 30a-C-5 フラーレンドープ導電性高分子の電子・光物性
- 3PA13 ディスコティック液晶におけるキャリア伝導とドーピング効果
- 3a-C-9 可溶性ポリビチエニルメチン誘導体導電性高分子の電子状態とドーピング効果
- 2a-NE-1 (SN)_xの超伝導特性および極低温における磁気抵抗効果
- 1a-S-3 Naドープ(SN)_xの電気的性質 II
- 6a-M-6 導電性高分子ゲルとそのドーピング効果
- 6a-M-5 導電性高分子ゲルとその機械的、光学、電気的性質
- 4p-S4-14 強誘電性液晶の電気光学効果と圧力効果
- 3p-S4-12 導電性高分子の圧力効果
- 26a-J-6 温度により自発分極の極性反転する強誘電性液晶の誘電特性
- 26a-J-5 強誘電性液晶の誘電的光学的特性と圧力効果
- 30a-QA-6 縮合環系導電性高分子の光学的性質と電子状態
- 30a-QA-5 縮合環系導電性高分子の電気的磁気的性質とドーピング効果
- 5a-N-8 酸素欠陥LiNbO_3の電気的性質I
- 26a-Z-7 強誘電性液晶3MC2PCPOPBの誘電的光学的特性
- 5a-K-2 螺旋ピッチの短い強誘導電性結晶の誘電的光学的性質
- 31a-G-3 強誘電性液晶の誘電率の温度依存性異常
- 6a-L-3 強誘電性液晶の非線形光学的効果と電界効果
- 6a-L-2 短ピッチ強誘電性液晶の誘電的光学性質
- 27a-J-5 ポリ(3-メチルチオフェン)における光誘起吸収とそのドーピング効果
- 28p-YK-9 C_/導電性高分子積層膜の電子・光物性
- 13a-B-3 導電性高分子/C60積層膜の接合特性
- 13a-B-2 フラーレンドープ導電性高分子の蛍光と光電導
- 12p-W-3 Ge-Se系ガラス半導体の光学的性質
- 27a-J-4 導電性高分子溶液の光学的性質
- 27a-J-3 導電性高分子溶液の性質とドーピング効果
- 7a-J-8 LiNbO_3に於る光損傷の圧力効果
- 28p-D-14 ポリ(ジシラニレン オリゴフェニレン)系高分子へのフラーレンドーピング効果
- 5p-H-7 CdSの音響電気効果
- 27a-J-2 導電性高分子の性質と放射線照射効果
- 2連F09 極めて大きな自発分極を持つ強誘電性液晶の電気光学効果
- 2連F08 極めて大きな自発分極を持つ強誘電性液晶の誘電特性
- 29p-QA-2 自発分極の大きな強誘電性液晶の電気光学効果
- 29p-QA-1 自発分極の大きな強誘電性液晶の誘電的性質
- 2N02 強誘電性液晶の電気的光学的特性と過渡光散乱
- 27a-J-1 溶融導電性高分子と延伸効果
- 25a-K-2 導電性高分子ゲル体積変化時間の溶媒効果
- 27p-M-12 導電性高分子ゲル体積変化の動的過程
- 3p-S4-15 ポリ(3-アルキルチオフェン)溶液の物性
- 3p-S4-14 電解重合法によるポリチオフェン置換体の物性
- 3p-S4-11 ポリ(3アルキルチオフェン)の溶融と電気的、光学的性質
- 3p-S4-16 熱処理導電性高分子の物性
- 2AD02 多重環状組織を有する強誘電性液晶自己保持膜の電気光学効果
- 12p-B-6 ポリ(3-アルキルチオフェン)ゲルの体積変化における溶媒効果とバイモルフ特性
- 1p-B-6 導電性高分子のゲル特性の溶媒効果
- 27p-ZF-5 ポリ(3-アルキルチオフェン)ゲルの作製とその特性
- 24p-Z-9 導電性高分子ゲルの性質と構造及びドーピング効果
- 2p-KD-2 ポリフランの合成と電気的光学的性質
- 2AE06 カイラルスメクチック液晶のNd:YAGレーザーを用いた焦電性測定
- 31a-BD-13 Squaric acid H_2C_4O_4 の相転移への圧力効果
- 1p-CK-9 液晶のブリルアン散乱 II
- 1B08 液晶相転移におけるブリルアン散乱
- 7p-P-3 スメクチック液晶相転移における磁場効果
- 5p-Q-7 磁場による液晶の格子状ドメイン形成
- 4p-K-5 ポリ(3-アルキルチオフェン)のゲル特性とドーピング効果
- 6a-M-3 ポリチオフェンおよびポリチオフェン置換体のn型ドーピング
- 1a-BG-6 ZnTe:O等電子トラップ束縛励起子
- 5p-J-13 半導体における(e,A^0)と(D^0,A^0)発光遷移の判別
- 4p-S4-13 強誘電性液晶の分極反転と過渡光散乱
- 4p-K-4 ポリ(3-アルキルチオフェン)の電気化学特性と学習効果
- 3V19 強誘電性液晶の電気的光学的性質および電気光学効果(V)
- 13p-P-3 電子線照射したGaAsの格子欠陥
- 3a-TA-11 液体窒素温度におけるN型GaAsの電子線照射
- 6a-M-4 ポリ(3-アルキルチオフェン)の、固体-液体相転移領域における物性
- 3R07 磁場中での液晶比熱測定
- 6p-AE-5 液晶比熱の磁場依存性
- 3V07 液晶相転移の磁場効果
- 4B19 液晶レーザ散乱
- 12a-A-2 スメクチック液晶相転移における磁場効果 (II)
- 3a-N-11 スメクチック液晶相転移における磁場効果
- 12p-N-3 スメクチック液晶のラマン及びレーリー散乱 II
- 5p-KF-3 スメクチック液晶のラマン及びレーリー散乱
- 25a-K-2 液晶のラマン散乱における低周波モード
- 5a-C-12 LiNbO_3の光損傷
- 7a-K-8 LiNbO_3の光損傷に於る内部電界に関する一考察-X線誘起光損傷-
- 7a-K-7 LiNbO_3の電気的性質(II)-紫外線レーザによる光伝導-
- 27p-ZF-7 立体異性化電解重合によるポリ(ジチエニルエチレン)薄膜の電子物性とその機能応用
- 24p-Z-8 ポリ(ジチエニレンビニレン)系導電性高分子薄膜の電子物性
- 4p-K-8 導電性高分子の電子物性と電気化学的性質
- 3a-D-7 極低温液体の電気伝導と絶縁破戒 VII
- 26a-K-3 反強誘電性液晶の相系列と電解誘起転移
- 27a-M-5 反強誘電性液晶3MC2PCPOPBの相系列と光学的性質
- 27a-ZF-5 3MC2PCPOPBの反強誘電的特性のセル厚効果
- 2N03 強誘電性液晶の赤外域でのスイッチ特性
- 1a-P-6 強誘電性液晶の性質と印加電圧波形
- 2p-Q-10 一軸性圧力下におけるCdTe励起子のスピン偏極効果
- 13p-P-4 ガンマー線照射したCdTlの移動度とトラップ中心の焼鈍
- 2p-N-1 Polyacetylene 膜の相転移と電気伝導