鄭 万佑 | 阪大工

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概要

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• 平木 昭夫

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著作論文

• 3a-N-13 III-V族半導体の放射線損傷
• 7p-E-2 液体窒素温度で電子線照射したn-GaAsのフォトルミネッセンス
• 10a-Q-10 77°Kで電子線照射したPドープGeの焼鈍
• n型ガリウム・ヒ素の放射線損傷 : 格子欠陥
• Vacancyを含むGeのMinority-CarrierのLife-time : 半導体(負抵抗, ピエゾなど)

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