成沢 忠 | 日本真空
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概要
関連著者
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成沢 忠
日本真空
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小宮 宗治
日本真空技術(株)
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平木 昭夫
阪大工
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小宮 宗治
日本真空K.K.
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岩見 基弘
阪大工
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小宮 宗治
日本真空技研
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成沢 忠
日本真空技術KK
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清水 昭
阪大工
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早川 和延
東大物性研
-
佐竹 徹
日本真空
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八木 克道
東工大理
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本庄 五郎
東工大理
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小原 建治郎
原研
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阿部 哲也
原研
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田島 輝彦
原研
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五明 由夫
東芝総研
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林 主税
日本真空
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林 主税
日本真空技術株式会社
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大塚 英男
原研
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早川 和延
日立中研
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大塚 英男
原研核融合
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田島 輝彦
原研核融合
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三宅 静雄
東大物性研
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塚越 修
日本真空技術(株)技術開発部
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曽根 和穂
原研
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山田 礼司
原研
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水野 正保
日本真空
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松下 嘉明
東工大理
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成沢 忠
日本真空K.K.
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三宅 静雄
日立中研
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水野 正保
日本真空技術(株)
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成沢 忠
日本眞空(株)
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小宮 宗治
日本眞空(株)
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成沢 忠
日本眞空技術(株)
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小宮 宗治
日本眞空技術(株)
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山田 禮司
原研
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塚越 修
日本真空技術(株)
著作論文
- 6p-D-12 低エネルギープロトン(0.1〜6KeV)によるMo,Cのスパッタリング収率
- 5a-J-6 JFT-2放電洗浄効果のAES観察
- 4a-B-3 AESによる薄膜成長機構の研究
- Si(111)の7×7回折像の特徴 : X線・粒子線
- LEED及びLEESによる固体表面の研究 : 表面物理, 薄膜
- 6p-V-3 Si/貴金属界面での金属性Si(SIMS)
- 14a-P-10 Si-貴金属系に生じる金属性シリコンのAES(オージェ電子分光)
- AESによるSi結晶表面の化学分析
- 2次イオン質量分析法による固体表面の観察 (固体表面の新しい研究方法)
- 超高真空の生成と測定 (極限状態における計測と制御) -- (高真空)
- SIMS (表面微量分析の問題点(技術ノ-ト))
- 25a-G-3 AES法による半導体(基板)-金属(蒸着薄膜)系の界面構造観測
- 12a-R-10 Si(基板)-Au(膜)系での低温反応により生じる合金層のAuger 電子分光による観測