4a-A-13 水素ガス反応性R.F.スパッター法により低温基板上にdepositしたμc-Si:HのN_2ガスによる効果

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 1984-09-10

著者

• 平木 昭夫

  阪大工

• 宮里 達郎

  阪大産研

• 川上 養一

  阪大工

• 徳村 正夫

  阪大産研

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