2a-W-23 Xeを用いたスパッタ法によるa-Si膜の作製

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1981-03-30

著者

• 佐藤 守

  大阪工業技術試験所

• 平木 昭夫

  阪大工

• 佐藤 守

  大工試

• 寺内 均

  阪大工

• Stockli M.p

  カンザス州立大

• 井村 健

  阪大工

• 佐藤 守

  大阪工技試

関連論文

• 5a-YC-11 Xe多価イオン衝突による固体からの2次イオン放出
• 1%C-5%Cr ロール鋼へのイオンミキシング法による TiN 被膜の形成と耐摩耗性の向上
• 4a-E-1 Ti-SiO_2(薄膜)/Si(111)系での低温反応
• 12p-Y-4 Si(111)基板上への層状および島状Ti-シリサイド
• 27p-Y-7 金属/Si界面形成初期過程 : Ti/Si系
• 2p-NM-3 ELS法によるPol-Si(111)界面形成の初期過程の観察
• 31p-J-6 水素などを吸着したSi表面上へのAu膜形成過程と低温界面反応
• 31p-J-5 Si清浄表面上での金属薄膜(シリサイド薄膜)形成過程と低温界面反応
• Si(111)面上へのAu膜成長のLEED, ELS及びAESによる観察 : 微粒子・薄膜
• 28a-E-10 AESによるNi-sililcide/Si界面の解析とその特性
• 29p-U-3 Si清浄表面への金属膜の形成過程と低温界面反応(II) : 高速イオンチャネリング
• 29p-U-2 Si清浄表面への金属膜の形成過程と低温界面反応(I) : ELζによる観測
• 4p-D-6 Transition metal silicide/Si 接合の電子状態
• 7a-D-1 金属イオンの注入によるSi-貴金属の合金の直接生成
• 120 ダイナミックミキシング(イオン注入併用蒸着)法による窒化チタン膜形成に関する研究-第1報-
• 誌上討論(表面物性 II. 表面を探る)
• 28p-E-2 ダイヤモンドのサーモルミネセンス(IV)
• 3a-F-11 ZnS-ZnTe超格子の電子分光
• 26pB-6 多価重イオン照射における弾性散乱と電子励起の協調効果
• 30p-K-5 Xe多価イオン衝突による固体からの2次イオン放出 II
• 27p-D-8 ダイヤモンドのサーモルミネセンス(III)
• 2p-N-11 ダイヤモンドのサーモルミネセンス
• 12p-L-4 3d金属-Siの軟X線スペクトル
• VacancyとCuを含んだGeの低温V-I特性 (I) : 半導体
• 12a-F-16 アモルファスSi-Au系の金属非金属転移とESR
• 5a-B-8 結晶 As_2S_3 への光ドーピング,非晶質の場合との比較
• 4p-B-14 RBS 方による非晶質水素化シリコン (a-Si-H) 膜中の水素の深さ方向分布測定とその原理
• 4p-B-13 非晶質 Si-H 膜のイオン後方散乱による characterization II
• 11a-R-10 Au-(Narrow and Medium Gap) Semiconductor系にみられる低温界面
• 7a-T-7 Au^+およびCu^+イオンのSi基板中へのHigh-dose Implantation
• 4p-K-14 Si(基板)-Ge(蒸着膜)系での相互拡散
• 6p-B-18 Auger分光法によるSi_M_x(M=Au,Cu)の金属-非金属転移の観察
• 6p-V-5 Si-貴金属合金中での^SiのNMR
• 11a-F-8 Si(基板)-Au(薄膜)界面層に存在する金属性Si
• 12p-L-5 クラスター法による貴金属中Si不純物の電子状態の計算
• 30a-F-7 TEMによるSi:H合金の観察
• 2a-W-23 Xeを用いたスパッタ法によるa-Si膜の作製
• 31p GE-10 イオンビーム誘起オージェ電子分光によるa-Si膜中のHの三次元分布
• バナジウム薄膜へのイオン注入による窒化
• イオンビームミキシングによる表面改質
• 1p-A-8 Si(111)上に吸着したPd原子位置のチャンネリング法による決定
• 31p-J-4 高速イオンチャンネリングによるSi清浄表面への金属膜形成過程と低温界面反応
• 3a-E-9 チャンネリング法により調べたSi(111)Au系での室温界面反応
• 1p-A-9 電子分光法によるGe-Si(1l1)界面形式の初期過程の観察
• 2p-NM-2 AES・ELS法による金属-半導体接合形成初期過程の観察
• 2p-Q-1 Si清浄表面への金属の極薄蒸着とそのAES,LEEDなどによる観測
• Si単結晶基板上へのFe膜成長のAES-LEEDによる観察
• 31p KA-11 Si清浄表面への金属(Feなど)の極薄蒸着とそのAES, LEEDなどによる観測
• 6a-LT-14 Si_xNi_y系での^SiのNMR(Tiの測定)
• 4a-A-18 QMAによるグラファイト反応性スパッタにおけるプラズマ測定
• 4a-A-17 水素ガス反応性RFスパッター法によるa-C:H膜
• 4a-A-16 DCを用いた水素ガス反応性スパッター法によるa-C:H膜
• 4a-A-15 水素ガス反応性スパッター法により、低温基板上にdepositしたμc-Si:Hの磁場による効果
• 4a-A-13 水素ガス反応性R.F.スパッター法により低温基板上にdepositしたμc-Si:HのN_2ガスによる効果
• 12p-D-16 Li_q,N_2温度で生成するSi:H合金の特性
• 12p-L-3 Si-Au急冷合金系でのAESとSXS
• 6p-V-4 Si-貴金属合金中の金属性Si(SXSおよびAES)
• 6p-V-3 Si/貴金属界面での金属性Si(SIMS)
• 5a-T-11 Si-貴金属系に存在する金属性SiのNMR(I)Si-Cu系
• 14a-P-10 Si-貴金属系に生じる金属性シリコンのAES(オージェ電子分光)
• 電顕中におけるスパッタリング生成膜の観察 : X線, 粒子線
• 2p-G-10 重イオン照射における原子変位損傷のイオン種依存
• イオン注入と真空蒸着による薄膜合成(IVD法)
• 2a-W-22 水素ガスでのスパッタによる水素化結晶Siの構造・物性
• 29a-D-3 水素又は重水素の高線量イオン注入法によるa-Si: H(D)の製作
• 31p GE-9 非晶質Si-H膜のイオン後方散乱法によるcharacterization
• 29a-D-5 Kr, Neなど希ガス中でのスパッターによるa-Siの製作
• 31p GE-8 スパッタリング法によるアモルファスシリコンの基礎的物性
• 6a-LT-9 a-As_2S_3へのCuのphotodoping
• 30a-F-8 水素中の放電により生成した微結晶性シリコン水素化物のIR吸収
• 2a GD-5 Si-金属合金からの低エネルギーイオン励起オージェ電子
• 2a GA-8 第3周期元素の合金中でのAESケミカルシフトとその応用
• 固相エピタキシャル成長のAES法による微視的観察 : 固相反応
• 3p-DQ-1 低エネルギーイオンによるAuger電子の生成とその応用
• 5p-DR-21 Si-金属(Au,Al,Pdなど)接触系の界面物性
• 10p-T-11 低エネルギーイオンによるオージェ電子の生成とその応用
• 11a-R-11 フラッシュ法(Flashing)で清浄化されたSi及びGaAs結晶表面への金属の接合
• 物理的プロセス及び機器の特徴と応用 (フォーラム「膜形成プロセスとその応用」)
• イオン注入による表面処理
• イオン照射と蒸着(IVD)による立方晶系窒化ボロン膜(超硬質薄膜形成技術の新展開)
• イオン注入したLi_2B_4O_7ガラスセラミックスとLiFよりの熱刺激エキソ電子放射と熱ルミネッセンス
• 5a-YB-7 ZnSeのextended defectからの発光線
• 31a-Y-3 多孔質Si:Hの赤外吸収とフォトルミネッセンス
• CuCl/CdS系の低温熱処理によるCdS基板上へのCu_Sの成長 : 固相反応
• 5p-DR-22 Cu_2S/CdS接合界面のAuger電子分光
• 30p-L-9 プラズマ気相合成によるsp^3カーボン膜のESR
• 25a-G-3 AES法による半導体(基板)-金属(蒸着薄膜)系の界面構造観測
• 12a-R-10 Si(基板)-Au(膜)系での低温反応により生じる合金層のAuger 電子分光による観測
• 1p-B-10 Heガス中でのスパッタによるa-Siの製作
• 4p-M-2 Nacl結晶の格子欠陥による核磁気緩和
• 11a-A-10 Ge中にquinchしたthermal vacancyの性貭
• Geのthermal defets II : 格子欠陥
• 多孔質シリコンの初期酸化と金属シリサイド化
• 4p-AE-7 N_2レーザー励起によるクロロフィルaからの電子放出機構
• イオン注入と蒸着の併用による改質と薄膜形成
• Ni, Cu基板に対するCのMeV注入による表面硬化のメカニズム
• 3a-TA-9 電子線照射を受けたGe内燐(P)ドナーのESR
• イオンビ-ムミキシングによる表面改質(最前線シリ-ズ-10-)
• 大容量イオンビ-ムミキシング装置の開発
• 新しい表面機能を作るイオンビ-ム

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク