電顕中におけるスパッタリング生成膜の観察 : X線, 粒子線
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1969-03-30
著者
関連論文
- 5a-YC-11 Xe多価イオン衝突による固体からの2次イオン放出
- 1%C-5%Cr ロール鋼へのイオンミキシング法による TiN 被膜の形成と耐摩耗性の向上
- 120 ダイナミックミキシング(イオン注入併用蒸着)法による窒化チタン膜形成に関する研究-第1報-
- 高温イオン化反応によるSi-carbide膜-2-(速報) (第25回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和59年10月29日〜31日)
- 高温イオン化反応法によるSi-carbide膜 (第24回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス)
- 26pB-6 多価重イオン照射における弾性散乱と電子励起の協調効果
- 30p-K-5 Xe多価イオン衝突による固体からの2次イオン放出 II
- 4p-B-14 RBS 方による非晶質水素化シリコン (a-Si-H) 膜中の水素の深さ方向分布測定とその原理
- 4p-B-13 非晶質 Si-H 膜のイオン後方散乱による characterization II
- 2a-W-23 Xeを用いたスパッタ法によるa-Si膜の作製
- バナジウム薄膜へのイオン注入による窒化
- イオンビームミキシングによる表面改質
- 電顕中におけるスパッタリング生成膜の観察 : X線, 粒子線
- アルミニウム─銀 合金における析出の直接観察 : 金属
- 15M-9 Al-Cu合金の電子回折法及び電子顕微鏡による研究 (II)
- 19L-16 Al-Cu合金の電子回析及び電子顯微鏡による研究
- 2p-G-10 重イオン照射における原子変位損傷のイオン種依存
- イオン注入と真空蒸着による薄膜合成(IVD法)
- イオン注入と蒸着の併用による改質と薄膜形成
- 2a-W-22 水素ガスでのスパッタによる水素化結晶Siの構造・物性
- 29a-D-3 水素又は重水素の高線量イオン注入法によるa-Si: H(D)の製作
- 31p GE-9 非晶質Si-H膜のイオン後方散乱法によるcharacterization
- 物理的プロセス及び機器の特徴と応用 (フォーラム「膜形成プロセスとその応用」)
- イオン注入による表面処理
- イオン照射と蒸着(IVD)による立方晶系窒化ボロン膜(超硬質薄膜形成技術の新展開)
- イオン注入したLi_2B_4O_7ガラスセラミックスとLiFよりの熱刺激エキソ電子放射と熱ルミネッセンス
- 真珠及び真珠貝に関する研究
- 多孔質シリコンの初期酸化と金属シリサイド化
- 高温イオン化反応法によるSi-carbide膜
- イオン注入と蒸着の併用による改質と薄膜形成
- Ni, Cu基板に対するCのMeV注入による表面硬化のメカニズム
- 3a-G-5 X線粉末回折像の解析
- イオンビ-ムミキシングによる表面改質(最前線シリ-ズ-10-)
- 大容量イオンビ-ムミキシング装置の開発
- 新しい表面機能を作るイオンビ-ム
- 高温イオン化反応によるSi-carbide膜-2-(速報) (第25回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和59年10月29日〜31日)