宮里 達郎 | 阪大産研
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概要
関連著者
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宮里 達郎
阪大産研
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赤尾 文雄
岡山理科大
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赤尾 文雄
阪大産研
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徳村 正夫
阪大産研
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平木 昭夫
阪大工
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川上 養一
阪大工
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石黒 政一
阪大産研
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宮里 達郎
阪大・産研
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赤尾 文雄
阪大・産研
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鈴木 克生
早大理工
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延谷 宏治
阪大産研
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金丸 文一
阪大産研
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橋本 伸
阪大工
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石黒 政一
阪大・産研
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林 正夫
株式会社 明電舎
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中村 健一
早大理工
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井村 健
阪大工
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宮里 達郎
九工大
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川野 敏史
阪大工
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林 正夫
明電舎
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桜井 宏巳
早大理工
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Meredith D.J.
ランカスター大物理
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Wigmore J.K.
ランカスター大物理
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Wigmore J.K.
Lancaster大物理
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延谷 宏治
大阪大 産科研
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石里 政一
阪大産研
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中桐 康司
阪大産研
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徳村 正夫
佐野工高
著作論文
- 7a-F-1 Sb-doped Ge中のμ波超音波の磁場効果(II)
- 3p-N-6 Ge中のドナー電子による超音波吸収の磁場依存性について
- 4a-A-18 QMAによるグラファイト反応性スパッタにおけるプラズマ測定
- 4a-A-17 水素ガス反応性RFスパッター法によるa-C:H膜
- 4a-A-16 DCを用いた水素ガス反応性スパッター法によるa-C:H膜
- 4a-A-15 水素ガス反応性スパッター法により、低温基板上にdepositしたμc-Si:Hの磁場による効果
- 4a-A-13 水素ガス反応性R.F.スパッター法により低温基板上にdepositしたμc-Si:HのN_2ガスによる効果
- 11a-PS-5 [100]磁場下に於ける、Ge:Pでのヒートパルス散乱
- 12p-D-16 Li_q,N_2温度で生成するSi:H合金の特性
- 27a-T-6 Ge:Pの超音波吸収
- 27a-T-5 高濃度Ge:Sbの超音波吸収における磁場効果
- 30a-C-9 J-Q bandでの水晶rodのフォノン・エコー
- 1a-C-6 マイクロ波領域でのフォノン・エコーとその応用
- 31p-RC-4 Ge:As中のヒートパルス伝播の磁場効果
- 1p-D-6 Ge:P中での超音波吸収の磁場効果
- 27a-H-2 磁場によるドナー波動函数収縮の音波による測定
- 2a-P-3 n-Ge 中のヒートパルスフォノン散乱の磁場効果
- 31p-BJ-14 一軸性圧力下での n-Ge 中の超音波吸収の磁場効果
- 5a-D-1 n-Geのμ波超音波吸収の-軸性圧力効果-II
- 8a-B-4 n-Geのμ-波超音波吸収の一軸性圧力効果
- 4p-M-8 Sb doped Geの超音波吸収の磁場効果
- 3a-R-1 n-型Ge中の浅いドナー電子によるμ-波超音波吸収の磁場効果
- 熱浴に接したキャリアイオンの密度行列と量子緩和モード
- 5a-KL-3 Ge中の浅い中性ドナー電子による超音波吸収の磁場効果-IV
- 23a-G-1 Ge中の浅い中性ドナー電子による超音波吸収の磁場効果-II
- 3p-A-3 Ge中の浅い中性ドナー電子による超音波吸収の磁場効果
- 3p-D-6 薄膜超伝導体(Pb)に於けるマイクロ波超音波の減衰
- n-type Geに於けるμ波超音波の減衰 : 半導体(化合物・音波)
- 3p-H-13 n-type Ge中におけるμ波超音波の減衰
- 29p-AD-4 半導体中のヒートパルス(29p AD 音波物性・音響シンポジウム 主題:フォノン伝播-物性研究のプローブとして-)
- 29a-PS-5 β-アルミナ中のNa^+イオンの緩和時間のSAW素子による測定(29a PS 音波物性・音響)