上村 和功 | 阪大工

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概要

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著作論文

• 11a-R-10 Au-(Narrow and Medium Gap) Semiconductor系にみられる低温界面
• 2a GD-5 Si-金属合金からの低エネルギーイオン励起オージェ電子
• 2a GA-8 第3周期元素の合金中でのAESケミカルシフトとその応用
• 固相エピタキシャル成長のAES法による微視的観察 : 固相反応
• 3p-DQ-1 低エネルギーイオンによるAuger電子の生成とその応用
• 5p-DR-21 Si-金属(Au,Al,Pdなど)接触系の界面物性
• 10p-T-11 低エネルギーイオンによるオージェ電子の生成とその応用
• 11a-R-11 フラッシュ法(Flashing)で清浄化されたSi及びGaAs結晶表面への金属の接合
• BPの結晶成長 : 化合物半導体

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