3a-E-11 AES法によるmetal/Si界面形成のinitial stageの観測

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1980-09-10

著者

• 岩見 基弘

  阪大工

• 奥野 和彦

  阪大工

• 奥野 和彦

  阪大 工

• 伊藤 利道

  阪大 工

• 岩見 基弘

  阪大 工

• 平木 昭夫

  阪大 工

関連論文

• 1p-S-10 Au/Si(111)の光電子分光
• 4a-E-1 Ti-SiO_2(薄膜)/Si(111)系での低温反応
• 12p-Y-4 Si(111)基板上への層状および島状Ti-シリサイド
• 高速イオン散乱法によるSi(111)面上へのAg-island成長の観察 : 表面・界面
• 表面, 界面の物理と電子状態に関する半導体国際シンポジウム
• 27p-Y-9 〜100keVの高速イオン散乱法によるSi(111)表面上への金属膜形成過程
• 27p-Y-7 金属/Si界面形成初期過程 : Ti/Si系
• 高速イオンを用いる新しい表面・界面分析法
• 2p-NM-3 ELS法によるPol-Si(111)界面形成の初期過程の観察
• 31p-J-6 水素などを吸着したSi表面上へのAu膜形成過程と低温界面反応
• 31p-J-5 Si清浄表面上での金属薄膜(シリサイド薄膜)形成過程と低温界面反応
• 3a-E-11 AES法によるmetal/Si界面形成のinitial stageの観測
• 2a-D-7 低エネルギーイオン励起によるSi(LMM)Auger電子生成の機構
• Si(111)面上へのAu膜成長のLEED, ELS及びAESによる観察 : 微粒子・薄膜
• 28a-E-10 AESによるNi-sililcide/Si界面の解析とその特性
• 29p-U-4 半導体上の薄膜のAES, ELS, XPSなどによる観察
• 29p-U-3 Si清浄表面への金属膜の形成過程と低温界面反応(II) : 高速イオンチャネリング
• 29p-U-2 Si清浄表面への金属膜の形成過程と低温界面反応(I) : ELζによる観測
• 29a-F-5 Si合金からの低エネルギーイオンAuger電子生成の機構
• 金属-半導体界面の合金化
• 4p-D-6 Transition metal silicide/Si 接合の電子状態
• 7a-D-1 金属イオンの注入によるSi-貴金属の合金の直接生成
• 4p-B-14 RBS 方による非晶質水素化シリコン (a-Si-H) 膜中の水素の深さ方向分布測定とその原理
• 4p-B-13 非晶質 Si-H 膜のイオン後方散乱による characterization II
• 11a-R-10 Au-(Narrow and Medium Gap) Semiconductor系にみられる低温界面
• 7a-T-7 Au^+およびCu^+イオンのSi基板中へのHigh-dose Implantation
• 4p-K-14 Si(基板)-Ge(蒸着膜)系での相互拡散
• 6p-B-18 Auger分光法によるSi_M_x(M=Au,Cu)の金属-非金属転移の観察
• 6p-V-5 Si-貴金属合金中での^SiのNMR
• 11a-F-8 Si(基板)-Au(薄膜)界面層に存在する金属性Si
• 12p-L-5 クラスター法による貴金属中Si不純物の電子状態の計算
• 31p GE-10 イオンビーム誘起オージェ電子分光によるa-Si膜中のHの三次元分布
• 6a-LT-16 GD-a-Siのcharacterization I
• 6a-K-6 Cd_Zn_xAs_2における不純物伝導
• 14a-W-7 p-Zn_3As_2の磁気抵抗効果 III
• 4a-KL-9 P-Zn_3As_2の磁気抵抗効果 II
• 1p-A-9 電子分光法によるGe-Si(1l1)界面形式の初期過程の観察
• 2p-NM-2 AES・ELS法による金属-半導体接合形成初期過程の観察
• 2p-Q-1 Si清浄表面への金属の極薄蒸着とそのAES,LEEDなどによる観測
• Si単結晶基板上へのFe膜成長のAES-LEEDによる観察
• 31p KA-11 Si清浄表面への金属(Feなど)の極薄蒸着とそのAES, LEEDなどによる観測
• 6a-LT-14 Si_xNi_y系での^SiのNMR(Tiの測定)
• 12a-E-4 シアニン色素-TCNQ系陰イオンラジカル塩単結晶のESR IV
• 12p-L-3 Si-Au急冷合金系でのAESとSXS
• 6p-V-4 Si-貴金属合金中の金属性Si(SXSおよびAES)
• 6p-V-3 Si/貴金属界面での金属性Si(SIMS)
• 14a-P-10 Si-貴金属系に生じる金属性シリコンのAES(オージェ電子分光)
• 31p GE-9 非晶質Si-H膜のイオン後方散乱法によるcharacterization
• 6a-LT-9 a-As_2S_3へのCuのphotodoping
• 3p-WA-6 Siのアモルファス構造安定化と不純物(O,Nなど)
• 2a GD-5 Si-金属合金からの低エネルギーイオン励起オージェ電子
• 2a GA-8 第3周期元素の合金中でのAESケミカルシフトとその応用
• 固相エピタキシャル成長のAES法による微視的観察 : 固相反応
• 3p-DQ-1 低エネルギーイオンによるAuger電子の生成とその応用
• 5p-DR-21 Si-金属(Au,Al,Pdなど)接触系の界面物性
• 10p-T-11 低エネルギーイオンによるオージェ電子の生成とその応用
• 11a-R-11 フラッシュ法(Flashing)で清浄化されたSi及びGaAs結晶表面への金属の接合
• BPの結晶成長 : 化合物半導体
• CuCl/CdS系の低温熱処理によるCdS基板上へのCu_Sの成長 : 固相反応
• 5p-DR-22 Cu_2S/CdS接合界面のAuger電子分光
• (Cd_xZn_)_3As_2基板上へのZn_3As_2ヘテロエビタキシャル成長 : エピタキシー
• 25a-G-3 AES法による半導体(基板)-金属(蒸着薄膜)系の界面構造観測
• II_3V_2化合物半導体混晶の結晶成長 : 化合物半導体
• Pを含むn型Geの77°Kでの電子線照射 : 格子欠陥
• 3p-BJ-12 アモルファス Si_1-xFe_x 系における非金属-金属転移
• 6p-B-17 アモルファスSi_Au_xの誘電率異常
• 2p-Q-5 半導体上の薄膜のAES,ELS,XPSによる評価
• 2p-A1-2 Tunable ELSによるK/Si(111)-7×7(2p A1 表面・界面,量子エレクトロニクス)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク