30p-D-5 Si(111)面上のFe蒸着膜の角度分解光電子分光
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
12a-D-11 F^高速チャネリングイオンの共鳴励起状態からの脱励起X線観測
-
26p-O-3 ^1H(^N,αγ)^C核反応によるW(110)表面の水素吸着の測定
-
29a-S-11 ^1H(^N,αγ-1)^C核反応の共鳴エネルギー幅
-
27p-C-12 ^1H(^N, αγ_1)^C核反応によるW(001)表面の水素定量
-
2p-R-7 ^1H(^N,αγ)^C核反応によるW(100)表面の水素定量
-
Baに誘起されたSi(111)微斜面における規則的ステップの低速電子線回折(LEED)・走査トンネル顕微鏡(STM)による観察
-
1a-R-8 350Mev電子線によるチャネリング放射光III
-
11p-G-9 350MeV電子線によるチャネリング放射光II
-
2a-R-9 350MeV電子線によるチャネリング放射光
-
8a-H-13 Te/Si(001)吸着構造のLEEDによる解析II
-
31a-T-11 Te/Si(001)吸着構造のLEEDによる解析
-
2p-RL-9 150MaV Clイオンの多重散乱と荷電状態II
-
11a-G-4 150〜200MeV Clイオンの多重散乱と荷電状態
-
27p-Z-1 水素様イオンの共鳴励起の研究(II)
-
Si(111)表面上におけるBaとNH_3の反応に関する研究
-
27p-G-6 多価塩素イオンのビーム・フォイル分光 (III)
-
27p-G-3 重イオン衝突におけるREC X線(I)
-
27p-G-2 高分解能X線結晶分光器の試作
-
4p-WA-3 多価塩素イオンのビーム・フォイル分光 II
-
29a-F-5 Si合金からの低エネルギーイオンAuger電子生成の機構
-
イオンビ-ム・固体相互作用の基礎過程--高速イオンの励起と荷電変換
-
1a-N-6 重イオン衝撃によるBe,Bの内殻電離
-
2a GD-8 重イオン衝撃によるFのKα, Kα^hX線の測定
-
1a-AB-11 重イオン衝突によるK殻電離のスケーリング
-
7p-T-15 重イオン衝撃によるBe及びBeOのX線発光
-
Fe/Si(111)の低速電子線回折(LEED)パターンの観察と強度-エネルギー(I-V)曲線の評価
-
5p-TB-7 多価塩素イオンのビーム・フォイル分光
-
2a-R-10 核反応を用いた非晶質シリコン中の水素の定量II
-
10p-T-3 100KeVプロトンによる表面チャネリングの角度依存性
-
直列静電レンズ型電離真空計におけるフィラメント位置の最適化
-
遺伝的アルゴリズムを用いたLEEDによる構造解析
-
直列静電レンズ型電離真空計における陰極位置
-
直列静電レンズ型(CSL)ゲージにおける空間電荷を考慮した電子軌道のシミュレーション
-
計算ソフトウェア「SIMION」によるCascade Static Lens Gaugeの解析(II)
-
直列静電レンズ型真空計のX線限界圧力に関する一検討
-
直列静電レンズ型真空計の測定下限圧力に関する一考察(関西支部研究例会の講演要旨(平成9年度第1回))
-
計算ソフトウェア「SIMION」によるCascade Static Lens Gaugeの解析
-
新しい直列静電レンズ型真空計の設計と予備実験
-
CSLゲージとAEゲージの特長を組み合わせることの可能性
-
24a-PS-28 LEED I-V曲線によるアルカリ吸着Si(001)面の研究III
-
24a-PS-27 K/Si(100)酸化過程におけるエキゾエミション
-
1p-TA-8 LEED I-V曲線によるアルカリ吸着Si(001)面の研究 II
-
3a-T-10 LEED I-V曲線によるアルカリ吸着Si(001)面の研究
-
6a-B4-1 LEEDI-V曲線によるFe/Si(111)の構造解析II
-
陽電子ビ-ムによる物性研究の展望
-
4p-B-14 RBS 方による非晶質水素化シリコン (a-Si-H) 膜中の水素の深さ方向分布測定とその原理
-
4p-B-13 非晶質 Si-H 膜のイオン後方散乱による characterization II
-
29p-L-10 「Sバンド電子線形加速器の電子によるアンジュレータからの595nm近傍の自発放射光の検出
-
2p-Q-1 Si清浄表面への金属の極薄蒸着とそのAES,LEEDなどによる観測
-
Si単結晶基板上へのFe膜成長のAES-LEEDによる観察
-
31p KA-11 Si清浄表面への金属(Feなど)の極薄蒸着とそのAES, LEEDなどによる観測
-
貴金属による電子線の非弾性錯乱II : X線粒子線
-
1a-R-7 400 keV〜1MeV電子によるチャネリング放射光 I
-
3p-TG-2 Blocking現象におけるChanneling効果
-
GeによるProtonのBlocking現象における複合核の影響 : 放射線物理
-
XHV '94会議報告
-
第8回固体内原子衝突国際会議に出席して
-
5a-K-5 重イオン衝撃によるB及びBNの特性X線
-
23p-N-13 電子線のチャネリング・ブロッキング現象
-
23p-N-5 高分解能電子線エネルギー分析器による銅の表面プラズモンの研究
-
Geの42O-反射 : X線電子線
-
単結晶による対称回折斑点像における消滅則 : X線電子線
-
30a-X-14 低速ミューオン : 炭素薄膜衝突における放出2次電子数分布
-
6p-W-4 MgO (001)上における鉄エピタキシャル膜の成長モード
-
極高真空領域における三格子MBAGの特異な変調特性とコンピュータシミュレーションによる解析
-
3格子変調B-Aゲージの正弦波連続変調
-
ターボ分子ポンプと油拡散ポンプを直列接続した排気系の特性
-
Si (111) 面上でのFe単原子膜のアニーリングによる構造変化
-
30p-D-5 Si(111)面上のFe蒸着膜の角度分解光電子分光
-
アブストラクト
-
アブストラクト
-
三格子変調型B-Aゲージ
-
30a-X-12 低速反陽子と炭素薄膜の衝突における前方放出電子のエネルギースペクトル
-
5p-O-3 フタロシアニンの電顕格子像に関する一考察
-
11p-P-6 対称入射條件における禁制反射の出現
-
ARUPSによるSi(111)面上のFe蒸着膜形成の初期過程 : 薄膜成長
-
禁制反射への相対論効果 : X線粒子線
-
31a-L-2 MgO(001)面のLEED強度測定と回折強度計算
-
二次反射消滅効果における非弾性散乱の影響 : X線粒子線
-
Cu, Au薄膜における表面プラズマ : X線・粒子線
-
5a-G-5 電子線による原子のエネルギースペクトル
-
CONSTRUCTION OF ANGLE RESOLVED ULTRAVIOLENT PHOTOELECTRON SPECTROMETER AND ITS APPLICATION TO THE ANALYSIS OF Si(lll) SURFACE
-
3p-L-2 共鳴核反応を用いての結晶表面吸着水素の研究
-
3p-L-1 イオンビームによる水素の定量及び挙動の研究-序論
-
高エネルギ-物理と物性
-
Single atomを見る試み (2) : ―結晶格子像における球面収差の影響―
-
8a-Y-2 n型シリコンの放射線損傷のチャンネリングによる測定
-
5a-G-11 半導体検出器による電子線の強度測定
-
5a-G-12 高速荷電粒子のChanneling-II
-
4p-A-7 単結晶のブロッキング効果による^Al(P,α)^Mg反応の反応時間の測定(II)
-
3p-U-1 単結晶のブロッキング効果による^Al(p,α)^Mg反応時間の測定(I)
-
Y. -H. Ohtsuki: Charged Beam Interaction with Solids, Taylor & Francis, London and New York, 1983, viii+248ページ, 23.5×16cm, 12,600円.
-
Protonの異常透過
-
28a-H-11 H(15N,αγ)12C核反応によるH/W(001)のH振動モードの測定(表面・界面)
-
28p-I-4 水素様イオンの共鳴励起の研究I(放射線物理)
-
27a-ED-7 Alの内殻電離における分子イオン照射効果(原子・分子)
-
3a-D4-4 水素様イオンの共鳴励起の研究III(放射線物理)
-
27a-ED-6 重イオン衝突におけるREC X線(II)(原子・分子)
-
1p-BG-13 ^1H(^N,αγ_1)^C共鳴核反応によるW(100)表面の水素定量(1p BG 表面・界面)
-
28p-M-3 水素様イオンの共鳴励起の研究IV(28pM 放射線)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク