4p-B-12 SP-a-Si 膜の空気中からの酸素取り込みによる物性変化
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1979-09-15
著者
関連論文
- 2a-D-7 低エネルギーイオン励起によるSi(LMM)Auger電子生成の機構
- 29p-U-4 半導体上の薄膜のAES, ELS, XPSなどによる観察
- 29a-F-5 Si合金からの低エネルギーイオンAuger電子生成の機構
- 新しいTHMによるZnSe単結晶育成及びアクセプター添加効果
- 5a-B-8 結晶 As_2S_3 への光ドーピング,非晶質の場合との比較
- 4p-B-14 RBS 方による非晶質水素化シリコン (a-Si-H) 膜中の水素の深さ方向分布測定とその原理
- 4p-B-13 非晶質 Si-H 膜のイオン後方散乱による characterization II
- 30a-F-7 TEMによるSi:H合金の観察
- 4a-NL-12 SEM・TEMによる希ガス原子を含むa-Siのmorphologyの観察
- 2a-W-23 Xeを用いたスパッタ法によるa-Si膜の作製
- 不純物を含むGeのサイクロトロン共鳴II. : 非同族元素の場合(半導体(マイクロ波))
- 31p GE-10 イオンビーム誘起オージェ電子分光によるa-Si膜中のHの三次元分布
- 12p-D-16 Li_q,N_2温度で生成するSi:H合金の特性
- 11p-E-11 バクテリオクロロフィル固体における光電変換過程
- 2a-W-22 水素ガスでのスパッタによる水素化結晶Siの構造・物性
- 29a-D-3 水素又は重水素の高線量イオン注入法によるa-Si: H(D)の製作
- 31p GE-9 非晶質Si-H膜のイオン後方散乱法によるcharacterization
- 2p-M-4 TCNQ-シアニン系色素電荷移動錯体の特性 III
- 12p-N-6 TCNQ-シアニン系色素電荷移動錯体の特性 II
- 5p-KF-10 TCNQ-シアニン系色素電荷移動錯体の特性I
- 熱CVD法によるカーボン薄膜成長と構造解析
- 29a-D-5 Kr, Neなど希ガス中でのスパッターによるa-Siの製作
- 31p GE-8 スパッタリング法によるアモルファスシリコンの基礎的物性
- 6a-LT-9 a-As_2S_3へのCuのphotodoping
- CVD ZeSeの励起子スペクトルとSbSe溶媒からの再結晶化
- 5a-S-8 第3周期元素からの低エネルギーイオン励起Auger電子スペクトルとその構造
- 3a-BJ-1 金属(薄膜)-半導体系の低温界面反応
- 2a GD-6 低エネルギーAr^+ 照射によりSi-H, Si-Cなどシリコン化合物から放出されるSiオージェ電子
- 1p-B-10 Heガス中でのスパッタによるa-Siの製作
- シリコン超微粒子による水素の固体化貯蔵
- ヘリウム雰囲気中での反応性スパッタによる高光伝導度水素化シリコン
- アモルファス・シリコン中の水素の定量
- 4p-B-12 SP-a-Si 膜の空気中からの酸素取り込みによる物性変化
- 4p-AE-7 N_2レーザー励起によるクロロフィルaからの電子放出機構
- 11p-E-12 励起バクテリオクロロフィル分子からのイオン種の生成機構
- 7a-S-5 クロロフィルによる半導体光電導の増感
- 13p-N-5 クロロフィル薄膜の光電導と発光
- 3a-KP-3 クロロフィルaの光イオン化
- 8a-W-6 電荷移動錯体溶液のフラッシュ光励起による負の光伝導