7a-S-5 クロロフィルによる半導体光電導の増感
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1976-09-16
著者
関連論文
- 2a-D-7 低エネルギーイオン励起によるSi(LMM)Auger電子生成の機構
- 29a-F-5 Si合金からの低エネルギーイオンAuger電子生成の機構
- 6p-P-8 シアニン色素-TCNQ系陰イオンラジカル塩の電気的.光学的性質 II
- エピタキシー
- 5a-B-8 結晶 As_2S_3 への光ドーピング,非晶質の場合との比較
- 4p-B-14 RBS 方による非晶質水素化シリコン (a-Si-H) 膜中の水素の深さ方向分布測定とその原理
- 4p-B-13 非晶質 Si-H 膜のイオン後方散乱による characterization II
- 30a-F-7 TEMによるSi:H合金の観察
- 4a-NL-12 SEM・TEMによる希ガス原子を含むa-Siのmorphologyの観察
- 2a-W-23 Xeを用いたスパッタ法によるa-Si膜の作製
- 31p GE-10 イオンビーム誘起オージェ電子分光によるa-Si膜中のHの三次元分布
- 6a-K-6 Cd_Zn_xAs_2における不純物伝導
- 4a-E-11 レーザーによる絶縁破壊(II)
- 4a-E-10 2光子吸収による螢光および光電流
- 8a-D-11 着色KCl単結晶の高電界光電導
- 14a-W-7 p-Zn_3As_2の磁気抵抗効果 III
- 4a-KL-9 P-Zn_3As_2の磁気抵抗効果 II
- 23a-G-18 P-Zn_3As_2の磁気抵抗効果
- 12a-E-4 シアニン色素-TCNQ系陰イオンラジカル塩単結晶のESR IV
- 12p-D-16 Li_q,N_2温度で生成するSi:H合金の特性
- 臭化アニリンのNMR(誘電体)
- 11p-E-11 バクテリオクロロフィル固体における光電変換過程
- 2a-W-22 水素ガスでのスパッタによる水素化結晶Siの構造・物性
- 29a-D-3 水素又は重水素の高線量イオン注入法によるa-Si: H(D)の製作
- 31p GE-9 非晶質Si-H膜のイオン後方散乱法によるcharacterization
- 7a-L-7 シアニン色素-TCNQ系陰イオンラジカル塩単結晶のESR(III)
- 8a-N-1 シアニン色素-TCNQ系陰イオンラジカル塩単結晶のESR(II)
- 6a-R-8 シニアン色素・TCNQ系陰イオンラジカル塩の電気的,光学的性質
- 5p-V-6 シアニン色素-TCNQ系イオンラジカル塩のESR(I)
- 2p-M-4 TCNQ-シアニン系色素電荷移動錯体の特性 III
- 12p-N-6 TCNQ-シアニン系色素電荷移動錯体の特性 II
- 5p-KF-10 TCNQ-シアニン系色素電荷移動錯体の特性I
- 29a-D-5 Kr, Neなど希ガス中でのスパッターによるa-Siの製作
- 31p GE-8 スパッタリング法によるアモルファスシリコンの基礎的物性
- 6a-LT-9 a-As_2S_3へのCuのphotodoping
- BPの結晶成長 : 化合物半導体
- 7a-P-4 還元したチタン酸バリウム単結晶の光伝導
- ルビーレーザの応用(量子エレクトロニクス)
- 半導体での2光子吸収による光電流 : 量子エレクトロニクス
- (Cd_xZn_)_3As_2基板上へのZn_3As_2ヘテロエビタキシャル成長 : エピタキシー
- 2a GD-6 低エネルギーAr^+ 照射によりSi-H, Si-Cなどシリコン化合物から放出されるSiオージェ電子
- 1p-B-10 Heガス中でのスパッタによるa-Siの製作
- シリコン超微粒子による水素の固体化貯蔵
- ヘリウム雰囲気中での反応性スパッタによる高光伝導度水素化シリコン
- アモルファス・シリコン中の水素の定量
- 4p-B-12 SP-a-Si 膜の空気中からの酸素取り込みによる物性変化
- 4p-AE-7 N_2レーザー励起によるクロロフィルaからの電子放出機構
- 11p-E-12 励起バクテリオクロロフィル分子からのイオン種の生成機構
- 7a-S-5 クロロフィルによる半導体光電導の増感
- 13p-N-5 クロロフィル薄膜の光電導と発光
- 3a-KP-3 クロロフィルaの光イオン化
- 8a-W-6 電荷移動錯体溶液のフラッシュ光励起による負の光伝導
- 6a-J-4 一軸性圧力下の蟻酸銅四水和物の誘電特性
- 5p-K-12 静水圧下におけるRbNO_3の誘電的性質
- 5a-R-7 GaPとCuフタロシアニン界面における光電効果
- 高融点半導体BPの結晶成長と電気的・光学的性質
- II_3V_2化合物半導体混晶の結晶成長 : 化合物半導体
- 23a-G-17 Cd_Zn_xAs_2の磁気抵抗効果
- 10a-G-6 ルビーレーザーによる非線型現象の観測
- レーザーによる絶縁破壊I : 量子エレクトロニクス : 気体の絶縁破壊
- He-Neレーザーの変調 I : 量子エレクトロニクス : 気体レーザーの特性
- 還元したBaTiO_3単結晶の電気的性質 : 誘電体
- 強誘電体によるイレーザー光の散乱II : 誘電体
- レーザーによる気体の電離及び絶縁破壊機構に関する一考察
- 3p-M-9 低温でのZn_3As_2結晶の育成
- 3p-L-3 KDPの屈折率整合角の温度依存性
- 5a-H-18 BP結晶の電気的性質
- KDPにおける光学的非線形現象
- KDPにおける光学的非線形現象 : 量子エレクトロニクス・誘電体シンポジウム : 非線形光学結晶
- 強誘電体とレーザー
- 6a-K-8 多光子吸収による光電導及び蛍光
- 15a-N-12 多光子吸収による光電導及び蛍光
- 13p-Q-7 強誘導体によるレーザー光のラマン散乱I