佐久間靖博 | 名大院工

スポンサーリンク

概要

関連著者

もっと見る

著作論文

20pTC-9 Si表面スパッタリング過程で生成されるSi^+,Si^に及ぼす微量残留酸素の効果(20pTC 放射線物理(2次粒子放出・クラスタービーム),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
24aRD-5 電子-イオン同時計測による Si^のイオン化過程の研究(24aRD 放射線物理・原子分子放射線融合(2次粒子放出),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
25aZB-13 Si表面からスパッタされるSi^+, Si^収量に見られる同位体差(放射線物理(クラスター・2次粒子放出),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
27pRA-11 Si(111)およびGe(111)表面からスパッタされる2次イオンのイオン化確率の速度依存性(27pRA 放射線物理(クラスター・二次粒子放出),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
21aZF-6 Ar^0衝突時にGeからスパッタされるGe^のエネルギー分布(21aZF 原子分子・放射線融合(ガラスキャピラリー,イオン-表面相互作用),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
23aRB-4 Sb-doped Ge表面スパッタリングにおける各種イオン生成過程に及ぼす酸素不純物の効果(放射線物理(散乱素過程),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
21aRF-3 Ge表面スパッタリングにおける2価イオン生成過程に及ぼす酸素不純物の効果(II)(放射線・原子分子融合(イオン・表面相互作用),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
19aXJ-6 Ge表面スパッタリングにおける2価イオン生成過程に及ぼす酸素不純物の効果(放射線物理,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
28aTA-5 希ガス原子衝突によるSi表面スパッタリング過程で生成されるSi^の入射角度依存性(28aTA 放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
13aXF-9 Si(111)-7×7 表面からスパッタされた Si^+, Si^ 収量に及ぼす微量残留酸素の効果(表面界面ダイナミクス : シリコン・ダイヤモンド, 領域 9)
27aXP-4 Si(111)-7×7表面からのSi^+,Si^イオン収量に及ぼす酸素不純物の効果(放射線物理)(領域1)
19aYA-2 各種希ガス原子によるSi表面スパッタリング過程で生成されるSi^,Si^+(放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
21aEB-2 CuOのイオン照射効果(21aEB 放射線物理(照射効果),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
25aAB-5 酸化鉄の低エネルギー重水素照射効果(25aAB 放射線物理(放射線損傷・放射線計測),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
25aAB-4 窒化タングステンのイオン照射効果(25aAB 放射線物理(放射線損傷・放射線計測),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
18pFN-2 Si(111)表面のAr^+イオンスパッタにおけるSiオージェ電子スペクトル(18pFN 表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))
27pEG-6 Si(111)表面のAr^+イオンスパッタにおけるSiオージェ電子放出(27pEG 放射線物理(放射線損傷・阻止能・二次電子放出・クラスター),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))

もっと見る

スポンサーリンク