28aTA-5 希ガス原子衝突によるSi表面スパッタリング過程で生成されるSi^<2+>の入射角度依存性(28aTA 放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2006-03-04

著者

• 八木 伸也

  名大院工

• 加藤 政彦

  名大院工

• 曽田 一雄

  名大院工

• 加藤 政彦

  名古屋大学シンクロトロン光研究センター

• 曽田 一雄

  名古屋大学シンクロトロン光研究センター

• 佐久間 靖博

  名大院工

• 佐久間 靖博

  名大エコトピア研

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