20aXA-8 強磁性半導体EuO薄膜の強磁性相転移による混成効果(20aXA 領域9,領域3合同 表面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2008-08-25
著者
-
木村 真一
分子研UVSOR
-
伊藤 孝寛
分子研UVSOR
-
八木 伸也
名大院工
-
八木 伸也
名古屋大学大字院工学研究科
-
八木 伸也
名大工
-
木村 真一
分子研uvsor:総研大物理
-
伊藤 孝寛
名大工
-
寺嶋 健成
分子研UVSOR
-
Im Hojun
弘前大理工
-
宮崎 秀俊
名大院工
-
加藤 政彦
名大院工
-
曽田 一雄
名大院工
-
Im Hojun
成均館大学
-
加藤 政彦
名古屋大学シンクロトロン光研究センター
-
曽田 一雄
名古屋大学シンクロトロン光研究センター
-
宮崎 秀俊
自然科学研究機構分子科学研究所
-
八木 伸也
名古屋大学工学研究科
-
八木 伸也
広大理
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