機能材料開発に使われる放射光 (特集:生活に近づく放射光)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 日本工業出版の論文

著者

• 八木 伸也

  名大院工

関連論文

• 28aTF-2 電子ドープ系EuO薄膜の強磁性相転移と電子構造(28aTF 薄膜・バンド計算・理論,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 20aXA-8 強磁性半導体EuO薄膜の強磁性相転移による混成効果(20aXA 領域9,領域3合同 表面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 中部シンクロトロン光利用施設の建設がスタート
• 金属ガラスの構造と基礎物性(A02班)
• 24aPS-34 Zr-TM-Alバルク金属ガラスの価電子帯電子構造(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 30aPS-13 Zr-Al-Cu-Niバルク金属ガラスの価電子帯電子構造(領域5ポスターセッション)(領域5)
• 25aXQ-11 ホイスラー型Fe_2Val_Si_zの逆光電子スペクトル(光電子分光・逆光電子分光,領域5(光物性))
• 20pTC-9 Si表面スパッタリング過程で生成されるSi^+,Si^に及ぼす微量残留酸素の効果(20pTC 放射線物理(2次粒子放出・クラスタービーム),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• ホイスラー型熱電材料Fe_Ir_yV_Alの軟X線光電子分光
• 22aPS-16 Fe基ホイスラー型合金のバルク電子構造(22aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 24aXP-2 Al_Co_Ni_ 準結晶中の遷移金属配置とその3d部分状態密度(準結晶,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
• 28pRF-7 ホイスラー型Fe_2VAl_Si_zの3p-3d共鳴光電子分光(28pRF 光電子分光・逆光電子分光,領域5(光物性))
• 21pYD-6 ホイスラー型Fe_2VAl_Si_zの置換に伴う電子構造の変化(光電子分光・逆光電子分光,領域5(光物性))
• 13aXC-9 Fe_2VAl_X_z(X=Si, Ge) の V 2p 内殻及び価電子帯光電子スペクトル(吸収分光・MCD・光電子分光, 領域 5)
• 26aYB-10 2次元準結晶Al-Co-NiとAl-Co-Cuの局所クラスターと遷移金属配置(準結晶,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
• 27pYK-3 Al-Co-Cu 2次元準結晶のクラスターモデルと電子構造(27pYK 準結晶,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 23pWA-10 デカゴナルクラスターの電子構造(準結晶,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
• 28aXE-4 Al_Ni_Co_2次元準結晶の遷移金属3d部分状態密度II(28aXE 準結晶(理論,構造,物性(Al系)),領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 19pYK-3 Al_Ni_Co_準結晶の遷移金属3d部分状態密度(準結晶(構造,電子物性,表面,空孔),領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 23aTK-3 2p-3d 共鳴光電子分光による Al-Ni-Co 2 次元準結晶の電子構造の研究
• 24aRC-8 ホイスラー型Fe_V_Alの軟X線角度分解光電子分光(24aRC 光電子分光(超伝導・磁性・強相関),領域5(光物性))
• 20aXA-8 強磁性半導体EuO薄膜の強磁性相転移による混成効果(20aXA 領域9,領域3合同 表面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 24pWK-11 磁性半導体EuO薄膜の電子状態と強磁性相転移(24pWK 薄膜・人工格子磁性,表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 24pWK-11 磁性半導体EuO薄膜の電子状態と強磁性相転移(領域3,領域9合同講演,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21aTK-7 3次元角度分解光電子分光による強磁性半導体EuOにおける磁気相転移(光電子分光(超伝導体・強相関係),領域5,光物性)
• 18pZA-10 磁性半導体EuOの角度分解光電子分光(光電子分光(超伝導体・強相関系),領域5,光物性)
• 24aRD-5 電子-イオン同時計測による Si^のイオン化過程の研究(24aRD 放射線物理・原子分子放射線融合(2次粒子放出),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 20aTC-6 MeVイオンビームのガラスキャピラリによるガイド効果(20aTC 放射線物理・原子分子放射線融合(ガラスキャピラリ),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 25aZB-13 Si表面からスパッタされるSi^+, Si^収量に見られる同位体差(放射線物理(クラスター・2次粒子放出),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 27pRA-11 Si(111)およびGe(111)表面からスパッタされる2次イオンのイオン化確率の速度依存性(27pRA 放射線物理(クラスター・二次粒子放出),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 21aZF-6 Ar^0衝突時にGeからスパッタされるGe^のエネルギー分布(21aZF 原子分子・放射線融合(ガラスキャピラリー,イオン-表面相互作用),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 13pPSA-57 硫黄 K 吸収端 NEXAFS および XPS を用いた L-Cysteine/Cu(100) の研究(領域 5)
• 12aXC-12 Rh 表面に吸着した硫化ジメチルの硫黄 K 吸収端 NEXAFS 及び XPS を用いた研究(光電子分光・逆光電子分光, 領域 5)
• 14pXG-3 Si(111)2√×3-(Pb, Sn) 表面の原子配列(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
• 23aRB-4 Sb-doped Ge表面スパッタリングにおける各種イオン生成過程に及ぼす酸素不純物の効果(放射線物理(散乱素過程),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 21aRF-3 Ge表面スパッタリングにおける2価イオン生成過程に及ぼす酸素不純物の効果(II)(放射線・原子分子融合(イオン・表面相互作用),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 17pRG-4 ホイスラー型規則合金(Fe_V_)_Al_yの高分解能軟X線光電子分光
• 軟X線領域でのL-Cysteine水溶液XAFS測定
• 13aTL-3 HiSOR 軟 X 線ビームラインを用いた DSP 第 III 相の対称性の検討 II(誘電体, 領域 10)
• 機能材料開発に使われる放射光 (特集:生活に近づく放射光)
• 19aXJ-6 Ge表面スパッタリングにおける2価イオン生成過程に及ぼす酸素不純物の効果(放射線物理,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 18aXK-4 He^+イオン散乱分光におけるイオン収量のイオン収量の振動構造の解析II : 固体の効果(放射線物理,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 26aWD-1 直衝突He^+イオン散乱分光におけるイオン収量の振動構造の解析(26aWD 放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 28aTA-5 希ガス原子衝突によるSi表面スパッタリング過程で生成されるSi^の入射角度依存性(28aTA 放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 13aXF-9 Si(111)-7×7 表面からスパッタされた Si^+, Si^ 収量に及ぼす微量残留酸素の効果(表面界面ダイナミクス : シリコン・ダイヤモンド, 領域 9)
• 27aXP-4 Si(111)-7×7表面からのSi^+,Si^イオン収量に及ぼす酸素不純物の効果(放射線物理)(領域1)
• 19aYA-2 各種希ガス原子によるSi表面スパッタリング過程で生成されるSi^,Si^+(放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 22pEE-7 ガラスキャピラリを用いたMeVイオンビームのガイド効果(22pEE 領域1,領域2合同企画講演(キャピラリー),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 25pGC-8 金属キャピラリによるMeVイオンビーム集束(25pGC 融合セッション(原子分子・放射線)(原子分子・キャピラリー),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 26pPSA-3 Fe_2VAlの遷移金属L_内殻吸収磁気円二色性(26pPSA,領域5(光物性分野))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク