19aYA-1 低速イオン衝突における絶縁体の電子励起(放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2005-08-19

著者

• 加藤 政彦

  名古屋大学シンクロトロン光研究センター

• 左右田 龍太郎

  物質・材料研究機構

• 左右田 龍太郎

  物材研機構・物質

• 左右田 龍太郎

  物質材料研究機構・物質研究所

関連論文

• 20pHQ-11 コヒーレントシンクロトロン放射光のテラヘルツ電場計測(20pHQ 磁性体・新光源・新分光法,領域5(光物性))
• 10 円偏光紫外線およびβ線によるアミノ酸の分解とホモキラリティの起源(一般講演,第35回学術講演会講演要旨集)
• 23aPS-54 2次元ハバードモデルにおける電子状態の研究 : 次最隣接サイト間トランスファーの効果(23aPS 領域5ポスターセッション(光電子分光・光誘起相転移等),領域5(光物性))
• 28aTF-2 電子ドープ系EuO薄膜の強磁性相転移と電子構造(28aTF 薄膜・バンド計算・理論,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 20aXA-8 強磁性半導体EuO薄膜の強磁性相転移による混成効果(20aXA 領域9,領域3合同 表面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 中部シンクロトロン光利用施設の建設がスタート
• UVSOR-IIにおけるレーザーコンプトン散乱を用いた超短パルスガンマ線発生
• 28 アミノ酸およびアミノ酸錯体の円偏光紫外線・β線照射(一般講演,第34回学術講演会講演要旨集)
• 30 円偏光照射によるα-メチルアミノ酸薄膜への不斉導入(一般講演,第34回学術講演会講演要旨集)
• 20pTC-9 Si表面スパッタリング過程で生成されるSi^+,Si^に及ぼす微量残留酸素の効果(20pTC 放射線物理(2次粒子放出・クラスタービーム),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• ホイスラー型熱電材料Fe_Ir_yV_Alの軟X線光電子分光
• UVSOR-IIにおけるコヒーレントシンクロトロン光の研究
• 中部シンクロトロン光利用施設(仮称)計画
• 中部地区における新しいシンクロトロン光施設計画と原子核乾板の応用 (特集 拓け行く原子核乾板応用の地平)
• 18aZA-2 UVSOR-II BL7U真空紫外ビームラインの建設と評価(放射光真空紫外分光・MCD・軟X線発光・散乱,領域5,光物性)
• 27pRG-6 UVSOR-IIにおけるコヒーレント放射光の生成(27pRG 電子リング・電子ビーム応用,ビーム物理領域)
• 22aPS-16 Fe基ホイスラー型合金のバルク電子構造(22aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 24aXP-2 Al_Co_Ni_ 準結晶中の遷移金属配置とその3d部分状態密度(準結晶,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
• 28pRF-7 ホイスラー型Fe_2VAl_Si_zの3p-3d共鳴光電子分光(28pRF 光電子分光・逆光電子分光,領域5(光物性))
• 26aYB-10 2次元準結晶Al-Co-NiとAl-Co-Cuの局所クラスターと遷移金属配置(準結晶,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
• 27pYK-3 Al-Co-Cu 2次元準結晶のクラスターモデルと電子構造(27pYK 準結晶,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 23pWA-10 デカゴナルクラスターの電子構造(準結晶,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
• 28aXE-4 Al_Ni_Co_2次元準結晶の遷移金属3d部分状態密度II(28aXE 準結晶(理論,構造,物性(Al系)),領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 19pYK-3 Al_Ni_Co_準結晶の遷移金属3d部分状態密度(準結晶(構造,電子物性,表面,空孔),領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 26aPS-28 2次元ハバードモデルにおけるUHF解の研究 : 次最隣接サイト間トランスファーの効果(領域8ポスターセッション(低温(Cu,Ru,Mn,Co酸化物など,磁束量子系,鉄系超伝導体)),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
• 24aRC-8 ホイスラー型Fe_V_Alの軟X線角度分解光電子分光(24aRC 光電子分光(超伝導・磁性・強相関),領域5(光物性))
• 23aPS-5 2次元ババードモデルにおける電子状態の研究II : 次最隣接サイト間トランスファーの効果(23aPS 領域8ポスターセッション(低温I(鉄系超伝導,銅酸化物など)),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 20aXA-8 強磁性半導体EuO薄膜の強磁性相転移による混成効果(20aXA 領域9,領域3合同 表面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 24pWK-11 磁性半導体EuO薄膜の電子状態と強磁性相転移(24pWK 薄膜・人工格子磁性,表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 24pWK-11 磁性半導体EuO薄膜の電子状態と強磁性相転移(領域3,領域9合同講演,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21aTK-7 3次元角度分解光電子分光による強磁性半導体EuOにおける磁気相転移(光電子分光(超伝導体・強相関係),領域5,光物性)
• 18pZA-10 磁性半導体EuOの角度分解光電子分光(光電子分光(超伝導体・強相関系),領域5,光物性)
• 24aRD-5 電子-イオン同時計測による Si^のイオン化過程の研究(24aRD 放射線物理・原子分子放射線融合(2次粒子放出),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 20aTC-6 MeVイオンビームのガラスキャピラリによるガイド効果(20aTC 放射線物理・原子分子放射線融合(ガラスキャピラリ),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 25aZB-13 Si表面からスパッタされるSi^+, Si^収量に見られる同位体差(放射線物理(クラスター・2次粒子放出),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 27pRA-11 Si(111)およびGe(111)表面からスパッタされる2次イオンのイオン化確率の速度依存性(27pRA 放射線物理(クラスター・二次粒子放出),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 21aZF-6 Ar^0衝突時にGeからスパッタされるGe^のエネルギー分布(21aZF 原子分子・放射線融合(ガラスキャピラリー,イオン-表面相互作用),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 28pPSB-34 TOF-SIMS によるメタノール・重水凝縮体に関する研究
• 27a-PS-27 光触媒Pt/TiO_2(110)の表面構造と電子状態
• 23aRB-4 Sb-doped Ge表面スパッタリングにおける各種イオン生成過程に及ぼす酸素不純物の効果(放射線物理(散乱素過程),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 21aRF-3 Ge表面スパッタリングにおける2価イオン生成過程に及ぼす酸素不純物の効果(II)(放射線・原子分子融合(イオン・表面相互作用),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 固体表面におけるHe+イオンの中性化と再イオン化
• イオン散乱を用いたアルカリ吸着表面の電子状態の研究
• 23aRB-5 低速H^+とイオン性結晶との衝突における中性化と電子励起過程(放射線物理(散乱素過程),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 27pXJ-14 イオンエネルギー損失分光法による希ガス固体の表面電子構造の測定(27pXJ 表面ダイナミックス(金属表面),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 19aYA-1 低速イオン衝突における絶縁体の電子励起(放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 25aYJ-3 各種絶縁体に対する低速プロトンの電子的・核的阻止能・(放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 13aTG-8 低速プロトン-イオン性結晶との衝突における電子励起過程(放射線物理, 領域 1)
• 27pXP-5 低速プロトンと希ガス固体との衝突における電子的及び核的エネルギー損失(放射線物理)(領域1)
• 20aTD-2 低速プロトンの希ガス固体散乱における中性化と電子励起
• 20aRH-9 希ガス(Ar, Kr, Xe)固体表面における低速プロトンの中性化とエネルギー損失の研究
• 26aPS-31 還移金属ホウ化物TaB_2(0001)、WB_2(0001)の表面緩和
• 26p-YR-10 層状物質TaB_2、HfB_2における(0001)安定終端表面
• 31a-F-2 金属表面におけるHe^(^2S)の自動電離電子スペクトル
• 水分子凝縮体からのイオン放出
• 19aXJ-6 Ge表面スパッタリングにおける2価イオン生成過程に及ぼす酸素不純物の効果(放射線物理,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 18aXK-4 He^+イオン散乱分光におけるイオン収量のイオン収量の振動構造の解析II : 固体の効果(放射線物理,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 26aWD-1 直衝突He^+イオン散乱分光におけるイオン収量の振動構造の解析(26aWD 放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 28aTA-5 希ガス原子衝突によるSi表面スパッタリング過程で生成されるSi^の入射角度依存性(28aTA 放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• UVSOR-IIにおける飽和領域でのコヒーレント高調波の観測
• 低速Heイオン散乱における表面の電子遷移
• 22pEE-7 ガラスキャピラリを用いたMeVイオンビームのガイド効果(22pEE 領域1,領域2合同企画講演(キャピラリー),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク