nMOSFET反転層移動度における局所電界モデルの経験的手法による高精度化

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概要

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我々は, nMOSFETの反転層移動度のための局所電界モデルに基づく新しいモデルを提案し, 実効垂直電界(E⊥eff)依存性の計算精度を向上させた. 従来の局所電界モデル(Lombardiモデル等)は, 高電界領域での強いE⊥eff依存性が再現できない等, ユニバーサル曲線の精度が中高電界領域で不十分である. 今回, 局所的移動度を決める局所電界の項の指数を経験的に与える, という手法による新しいモデルにより, 実効垂直電界の広い領域にわたりユニバーサル曲線の精度を向上させることに成功した. この手法で精度向上を実現できたのは, 移動度対垂直電界の関係において局所値と実効値の相互の関係が単純でないという事実に起因している.
社団法人電子情報通信学会の論文
1997-09-25

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