有限要素法による2次元プロセスシミュレータFFEASTへの過渡増速拡散モデルの導入
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概要
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不純物イオン注入後の過渡増速拡散を解く方法として, カップル法とデカップル法を組み合わせた解法を提案する. 本解法においては, ボロン存在下で電荷中性条件式を計算する際に, 格子間Siと不純物-格子間Si対の濃度の和, 空孔と不純物-空孔対の濃度の和, 各化学的不純物濃度がそれぞれ不変となるように工夫することで, 収束性の改善を図った. また, 本解法を有限要素法による汎用2次元プロセスシミュレータFFEASTに導入し, サブクォーターミクロンnMOSFETの過渡増速拡散の解析に有効であることを示した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-09-25
著者
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杉安 統行
富士通株式会社デバイス開発部
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後藤 広志
富士通(株)デバイス開発部第3プロセス開発部
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後藤 広志
富士通株式会社デバイス開発部
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後藤 広志
富士通プロセス開発部第1開発部
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鈴木 腕
富士通株式会社デバイス開発部
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小島 修一
富士通株式会社デバイス開発部
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大山 泰
富士通株式会社デバイス開発部
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