後藤 広志 | 富士通株式会社デバイス開発部

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概要

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• 後藤 広志

  富士通(株)デバイス開発部第3プロセス開発部

• 後藤 広志

  富士通株式会社デバイス開発部

• 後藤 広志

  富士通プロセス開発部第1開発部

• 杉安 統行

  富士通株式会社デバイス開発部

• 鈴木 腕

  富士通株式会社デバイス開発部

• 小島 修一

  富士通株式会社デバイス開発部

• 大山 泰

  富士通株式会社デバイス開発部

• 田中 琢爾

  富士通(株)デバイス開発部第3プロセス開発部

• 山口 清一郎

  富士通(株)デバイス開発部第3プロセス開発部

• 金田 博幸

  富士通研究所(株)ULSIプロセス研究部

• 勝部 雅樹

  富士通プロセス開発部第1開発部

• 伊澤 哲夫

  富士通プロセス開発部第1開発部

• 横山 雄二

  富士通プロセス開発部第1開発部

• 橋本 浩一

  富士通プロセス開発部第1開発部

• 河村 栄一

  富士通プロセス開発部第1開発部

• 清水 敦男

  富士通プロセス開発部第1開発部

• 高木 英雄

  富士通プロセス開発部第1開発部

• 井上 文彦

  富士通プロセス開発部第1開発部

• 清水 宏

  富士通ロジックLSI開発部開発部

• 古用 和人

  富士通ロジックLSI開発部開発部

• 河村 誠一郎

  富士通プロセス開発部第1開発部

• 渡部 潔

  富士通プロセス開発部第1開発部

• 青山 慶三

  富士通プロセス開発部第1開発部

• 清水 宏

  富士通株式会社

• 井上 文彦

  富士通

• 青山 慶三

  富士通株式会社lsiテクノロジ開発部

• 古用 和人

  富士通(株) LSIテクノロジ開発部

• 伊澤 哲夫

  富士通(株)プロセス開発部

• 勝部 雅樹

  富士通(株)プロセス開発部

• 河村 誠一郎

  富士通(株)プロセス開発部

• 橋本 浩一

  富士通研究所

• 伊澤 哲夫

  (株)富士通

• 河村 誠一郎

  富士通(株)電子デバイス事業推進本部プロセス開発部

• 橋本 浩一

  富士通

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著作論文

• 有限要素法による2次元プロセスシミュレータFFEASTへの過渡増速拡散モデルの導入
• nMOSFET反転層移動度における局所電界モデルの経験的手法による高精度化
• 0.25μmロジックデバイスのための10μm^2フルCMOS-SRAMテクノロジー
• nMOSFET反転層移動度における局所電界モデルの経験的手法による高精度化
• nMOSFET反転層移動度における局所電界モデルの経験的手法による高精度化
• nMOSFET反転層移動度における局所電界モデルの経験的手法による高精度化
• 有限要素法による2次元プロセスシミュレータFFEASTへの過渡増速拡散モデルの導入
• 有限要素法による2次元プロセスシミュレータFFEASTへの過渡増速拡散モデルの導入
• 有限要素法による2次元プロセスシミュレータFFEASTへの過渡増速拡散モデルの導入
• 次世代CMOSロジックLSIプロセスモジュ-ル技術 (特集:システムLSI) -- (システムLSIの基礎技術)

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