山口 清一郎 | 富士通(株)デバイス開発部第3プロセス開発部

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概要

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• 同名の論文著者
• 富士通(株)デバイス開発部第3プロセス開発部の論文著者

関連著者

• 後藤 広志

  富士通(株)デバイス開発部第3プロセス開発部

• 後藤 広志

  富士通株式会社デバイス開発部

• 後藤 広志

  富士通プロセス開発部第1開発部

• 田中 琢爾

  富士通(株)デバイス開発部第3プロセス開発部

• 山口 清一郎

  富士通(株)デバイス開発部第3プロセス開発部

• 金田 博幸

  富士通研究所(株)ULSIプロセス研究部

著作論文

• nMOSFET反転層移動度における局所電界モデルの経験的手法による高精度化
• nMOSFET反転層移動度における局所電界モデルの経験的手法による高精度化
• nMOSFET反転層移動度における局所電界モデルの経験的手法による高精度化
• nMOSFET反転層移動度における局所電界モデルの経験的手法による高精度化

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