真空材料におけるガス放出現象計測装置の製作とその基本特性
スポンサーリンク
概要
著者
-
Ohno Morifumi
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
-
大野 守史
沖セミコンダクター(株)
-
Ohno Morifumi
Semiconductor Technology Laboratory Oki Electric Industry Co. Ltd.
-
大野 守史
沖電気工業
-
大野 守史
静岡大学電子工学研究所
-
大野 守史
(株) ソルテック
-
長戸路 雄厚
(株) ソルテック
-
北野 隆一
(株) ソルテック
関連論文
- 28pRE-7 SOI技術を用いた新しいX線イメージセンサーの開発II(28pRE 領域10,領域5合同 X線・粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 27pSB-2 SOI pixel検出器用DAQシステムの開発,及び性能試験(27pSB 半導体検出器,MPGD,素粒子実験領域)
- 21aWA-3 SOI技術を用いた新しいX線イメージセンサーの開発(21aWA X線・中性子(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 23aSJ-6 SOI pixel検出器におけるセンサー及び回路開発(23aSJ 半導体検出器,素粒子実験領域)
- Cryogenic readout electronics for space borne far-infrared image sensors(Satellite Systems,ICSANE 2010 (International Conference on Space, Aeronautical and Navigational Electronics))
- C-11-2 完全空乏型SOI-CMOSを用いた遠赤外線センサー用極低温電子回路の開発(C-11.シリコン材料・デバイス,一般セッション)
- フラッシュメモリセルBBT現象のシミュレーションによる解析と高信頼性セルの開発(ディープサブミクロンMOSトランジスタ技術小特集)
- Flat-band Voltage Tunability and No Depletion Effect of Poly-Si Gate CMOS with Nanometer-size Metal Dots at the Poly-Si/Dielectric Interface
- Relationship between Nitrogen Profile and Reliability of Heavily Oxynitrided Tunnel Oxide Films for Flash Electrically Erasable and Programmable ROMs
- ステンレス鋼の加熱処理表面のX線光電子分光法 (XPS) による観察
- RMEEDパターンのMCPによる観察
- GaP単結晶表面構造のRHEED観察
- シングルグリッド型LEED-AES-AEAPS装置
- 高信頼性酸窒化膜形成とフラッシュメモリー及びCMOSFETへの応用
- Si(111)7×7清浄表面上の銀薄膜のRMEEDによる観察
- Si (111) 7×7面上に蒸着したAgのRMEED観察
- MgO基板上に蒸着したAg薄膜のLEED-RHEED観察
- 真空材料におけるガス放出現象計測装置の製作とその基本特性
- ソルテックSORリング真空系の現状
- Development of Cryogenic Readout Electronics for Far-Infrared Astronomical Focal Plane Array
- GaP単結晶上に蒸着した銀薄膜のエピタキシャル成長(速報) (第25回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和59年10月29日〜31日)
- シンクロトロン放射光を照射したステンレス鋼の表面分析 (第31回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス)