チャージアップ現象を利用したゲート酸化膜の耐圧特性の改善

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概要

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ゲート酸化膜表面を真性耐圧近くまでチャージアップさせることにより、Bモード不良を減少させることができることを見い出した。ブラシスクラバーを用いてゲート酸化膜後のウェハを回転させ、純水で摩擦させるとウェハ表面が帯電する。この帯電電圧は回転速度が速いほど高く、真性耐圧に近くなると飽和する。帯電したウェハの酸化膜の耐圧を測定した結果、Bモード不良が大幅に減少した。また、同じ回転数でも純水にCO_2を入れて帯電を防ぐと効果がなくなることも分かった。この現象のモデルとしてセルフヒールングを検討した。
社団法人電子情報通信学会の論文
1993-07-26

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