ULSI製造ラインの清浄化のための最新分析評価技術
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概要
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クリーン化に必要な分析技術のULSI製造ラインへの適用を検討した.極微量元素分析はHF擬縮法を用いた全反射蛍光X線(TRXRF)とPC-SIMS(poly silicon encapsulation secondary ion massspectroscopy)の組合せでデバイスに影響を及ぼすFeなどの遷移金属とAlやNaなどの軽元素を高感度で再現よく測定できる.微小領域元素分析では試料内の広がりや周辺部における再励起が無視できず,オージェ電子分光法(AES)やEPMA(electron probe microanalysis)と共に透過電子顕微鏡に元素分析器を備えた分析電子顕微鏡(AEM)が期待される.TRXRFを中心にTRXRF+HF擬縮法とPC-SIMSを併用した金属汚染システムとウェーハEPMAを主に蛍光顕微鏡,AES,AEMを補助としたパーティクルおよびデバイス欠陥分析システムをULSI製造ラインの評価に用いた.その結果,ほとんどのプロセスで金属汚染が評価でき,多くのパーティクル発生源がわかり,このシステムの有効性が確認された.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-02-25
著者
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