最近の研究から アモルファスシリコンカーバイドの構造と構造緩和過程
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 金属ガラスの構造と基礎物性(A02班)
- GaNナノロッドの先端先鋭化とその電界電子放出特性(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- TlInGaAsN/TlInP量子井戸構造中の自発的ナノスケール相分離
- 高ドーズ鉄イオン注入シリコンの再結晶化過程
- 相変化光記録材料の電子線構造解析
- アモルファス鉄シリサイド薄膜の局所構造と結晶化過程
- 相変化型記録材料Ge-Sb-Te非晶質薄膜の断面観察
- 26pPSB-19 磁場中及び無磁場中蒸着によるポリエチレンナフタレート有機膜上のニッケル薄膜に関する研究(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- Ni薄膜/ポリエチレンナフタレート(PEN)有機膜を用いた量子十字素子の作製とその評価
- 最近の研究から アモルファスシリコンカーバイドの構造と構造緩和過程
- 23pPSB-67 Ni/P3HT:PCBM/Niナノスケール接合の作製とその評価(23pPSB 領域4ポスターセッション,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 複合酸化物セラミックスの照射誘起構造変化
- δ-Sc_4Zr_3O_におけるイオン照射誘起構造変化の透過電子顕微鏡法による解析
- イオン照射誘起非晶質SiCの化学的短範囲規則性
- アモルファスSi_Ge_x合金構造の分子動力学シミュレーション
- アモルファスシリコンカーバイドの構造と構造緩和過程
- 透過電子顕微鏡法によるアモルファスSiCの構造解析 (特集 大阪大学産業科学研究所 マテリアルインテグレーション--材料・生体・情報の融合を目指して(2))
- 酸素イオン注入シリコンカーバイドにおける埋め込み非晶質層の構造解析
- イオンビーム技術によるSiC-on-insulator構造の作製
- 融液からのシリコン結晶成長過程における不純物原子の挙動 : 炭素原子
- III-V族半導体混晶のエピタキシャル成長に伴う規則化と相分離のモンテカルロシミュレーションによる検討
- 界面スピノーダル分解(組織)
- 分子動力学シミュレーションによる融液及び融液/固相シリコン界面の構造解析 : バルク成長シンポジウムII
- 3-5族混晶半導体における秩序構造の形成機構 (原子レベルでの結晶成長機構) -- (エピタキシ機構)
- 27aB9 III-V族半導体混晶の結晶成長に伴う準安定な3次元秩序構造の形成(基礎II)
- ポリエチレンナフタレート（PEN）有機膜上の Ni 及び Ni75Fe25 薄膜における表面・界面構造と磁気特性
- ポリエチレンナフタレート(PEN)有機膜上のNi及びNi_Fe_薄膜における表面・界面構造と磁気特性
- アモルファスAl_2O_3およびWO_3の結晶化に伴うナノポーラス化
- アモルファス酸化物の構造変化および結晶化に伴うナノポーラス化
- アモルファス酸化物の構造変化および結晶化に伴うナノポーラス化