融液からのシリコン結晶成長過程における不純物原子の挙動 : 炭素原子
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概要
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Molecular-dynamics calculations have been performed to examine behavior of carbon (C) atoms during crystal silicon (Si) growth from melted Si based on the ordinary Langevin equation employing the Tersoff empirical potential. From the analysis of the radial distribution functions, local coordination, and bond angle distributions, it was found that C atoms are four-fold coordinated in liquid Si and occupy the substitutional sites in crystalline Si grown from the melt. It has been also shown that aggregation of these substitutional C atoms induces defects such as five-and seven-member rings in crystalline Si.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1997-12-20
著者
-
本岡 輝昭
九州大学工学部材料工学科
-
新谷 昭
住友金属エレクトロニクス研究所
-
森口 晃治
住友金属工業(株)
-
石丸 学
大阪大学産業科学研究所
-
森口 晃治
住友金属工業株式会社エレクトロニクス技術研究所
-
本岡 輝昭
九州大学大学院工学研究科材料物性工学専攻
-
隈元 崇
九州大学工学部物質科学工学科:(現)日本テキサスインスツルメンツ(株)
-
新谷 昭
住友金属工業(株)
-
吉田 興
九州大学工学部物質科学工学科
-
石丸 学
九州大学工学部物質科学工学科
-
隅元 崇
九州大学工学部物質科学工学科:(現)日本テキサスインスツルメンツ(株)
-
吉田 興
九州大学工学部物質科学工学科:(現)全日空(株)
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