伊藤 仁 | (株)東芝ulsi研究所
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概要
関連著者
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伊藤 仁
(株)東芝ulsi研究所
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伊藤 仁
(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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梶 成彦
(株)東芝ULSI研究所
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(株)東芝 先端半導体デバイス研究所
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岡野 晴雄
(株)東芝
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岡野 晴雄
(株)東芝研究開発センターulsi研究所
著作論文
- タングステンの化学的気相成長法
- 6ふっ化タングステンとシランの混合ガスを用いたタングステン選択成長機構の考察とULSIへの応用
- AFMによるラジカル酸化膜/Si界面平坦化効果の検討
- テトラメチルシラン/酸素ラジカルの系の気相重合反応とSiO_x堆積形状
- Si-CH_3結合を含む低誘電率層間絶縁膜の形成