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奈良 明子 | (株)東芝 先端半導体デバイス研究所
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関連著者
伊藤 仁
(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
伊藤 仁
(株)東芝ulsi研究所
奈良 明子
(株)東芝 先端半導体デバイス研究所
著作論文
テトラメチルシラン/酸素ラジカルの系の気相重合反応とSiO_x堆積形状
Si-CH_3結合を含む低誘電率層間絶縁膜の形成
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