伊藤 仁 | (株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

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• 伊藤 仁

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  (株)東芝ulsi研究所

• 奈良 明子

  (株)東芝 先端半導体デバイス研究所

• 鳥海 明

  東京大学大学院

• 中田 錬平

  (株)東芝

• 臼田 宏治

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• 鳥海 明

  東京大学

• 鳥海 明

  東京大学大学院工学系研究科

• 梶 成彦

  (株)東芝ULSI研究所

• 岡野 晴雄

  (株)東芝ULSI研究所

• 長嶺 真

  (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

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著作論文

• タングステンの化学的気相成長法
• AFMによるラジカル酸化膜/Si界面平坦化効果の検討
• テトラメチルシラン/酸素ラジカルの系の気相重合反応とSiO_x堆積形状
• Si-CH_3結合を含む低誘電率層間絶縁膜の形成

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