Si-CH_3結合を含む低誘電率層間絶縁膜の形成

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概要

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• テトラメチルシランと酸素ラジカルとによる絶縁膜を堆積し, この絶縁膜は耐熱性500℃, 比誘電率2.7を示すことを明らかにした. この絶縁膜はSi-O-Siの結合をネットワークとし, ネットワークを構成するSi原子の残りの結合手をCH_3基が修飾している構造をしている. ネットワークのSi-O-Siが優れた耐熱性を示し, ネットワークを構成するSiにCH_3基が修飾したSi-CH_3構造が低誘電率を生み出していると考えている.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1997-01-24

著者

• 伊藤 仁

  (株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 伊藤 仁

  (株)東芝ulsi研究所

• 奈良 明子

  (株)東芝 先端半導体デバイス研究所

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