テトラメチルシラン/酸素ラジカルの系の気相重合反応とSiO_x堆積形状

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概要

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• 耐熱性に優れ、2.5-3.0の比誘電率を示す絶縁膜が得られるテトラメチルシラン/酸素ラジカルの系の気相反応と体積形状とを調べた。堆積速度は酸素ラジカルの噴き出しノズルから幾分下流側(今回の実験では約2cm下流)で最大となり、この点を境として上流側、下流側で堆積機構が異なることがわかった。堆積機構の相異は、絶縁膜の堆積形状にも影響する。気相ですでにTMSの重合が進行していることがわかった。

• 1999-01-22

著者

• 伊藤 仁

  (株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 伊藤 仁

  (株)東芝ulsi研究所

• 奈良 明子

  (株)東芝 先端半導体デバイス研究所

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