Pb(Mg_<1/3>Nb_<2/3>)O_3薄膜コンデンサの作製と電気特性
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概要
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高容量薄膜コンデンサの誘電体材料として期待されている高ε_rなPb(Mg_<1/3>Nb_<2/3>)O_3(PMN)について、コート法による薄膜作製とその電気特性について検討した。PMN前駆体の組成比を化学量論組成よりPb20%リッチ、Mg10%リッチとすることで650℃の低温度でペロブスカイト単相を作製することができた。またPMN薄膜は、膜厚180〜720nmの範囲でPt(111)/Ti/SiO_2/Si上で高(111)配向していることが分かった。Pt/PMN/Ptコンデンサの電気特性は、100kHz、室温で容量が7μF/cm^2、tanδが0.03であった。容量の温度特性はバルク体に比べて変化が小さかった。tanδの周波数依存性及び残留分極、抗電界が非常に小さなヒステリシス曲線を示すことより、緩和型強誘電体薄膜であると考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-03-06
著者
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鈴木 孝明
日立
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生田目 俊秀
日立
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生田目 俊秀
(株)日立製作所日立研究所
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鈴木 孝明
(株)日立製作所日立研究所
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岡本 達司
(株)日立製作所日立エンタープライズサーバ事業部
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綿引 誠次
(株)日立製作所日立研究所
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荻原 衛
(株)日立製作所日立エンタープライズサーバ事業部
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田中 稔
(株)日立製作所日立エンタープライズサーバ事業部
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松山 治彦
(株)日立製作所日立エンタープライズサーバ事業部
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