樹脂埋め込み型フェイスアップ高周波 MCM
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概要
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ベース基板上に搭載されたMMIC等のチップを樹脂で埋め込み, その上に配線層を形成するフェースアップ型高周波MCMの基本構造を提案する。本構造は, (1)100μmを超える厚膜樹脂の一回塗布, (2)バンプ電極によるチップ間厚さ偏差吸収, (3)一括研削による埋め込み層樹脂・バンプ平坦化が特徴であり, 併せてチップ封止も実現できる。GaAsMMIC6チップのPHS端末高周波MCMとSi-MOSFET2チップのセルラ端末用電力増幅器モジュールを試作し, 実装プロセスのフィージビリティおよび高周波動作を確認する。モジュール寸法は前者が10mm×8mm, 後者が9mm×7mmで, 厚さは共に0.7mmである。電力増幅器モジュールの性能として, 1.75GHzで出力電力28.5dBm(0.7W), 電力付加効率16%が示される。
- 社団法人エレクトロニクス実装学会の論文
- 1998-04-01
著者
-
天明 浩之
日立製作所
-
天明 浩之
株式会社日立製作所
-
山田 宏治
株式会社日立製作所中央研究所
-
山下 喜市
株式会社日立製作所中央研究所
-
関根 健治
株式会社日立製作所中央研究所
-
加賀谷 修
株式会社日立製作所中央研究所
-
山崎 松夫
株式会社日立製作所中央研究所
-
杉井 伸行
株式会社日立製作所中央研究所
-
高橋 昭雄
株式会社日立製作所日立研究所
-
鈴木 正博
株式会社日立製作所日立研究所
-
高橋 昭雄
株式会社日立製作所基礎研究所
-
山下 喜市
株式会社日立製作所中央研究所:鹿児島大学工学部電気電子工学科
-
加賀谷 修
(株)日立製作所中央研究所
-
関根 健治
(株)日立製作所 中央研究所
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