高周波SiパワーMOSFETにおける線形増幅特性
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概要
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移動体通信用送信電力増幅器に使用されるUHFパワーMOSFETはπ, 4シフトQPSKデジタル変調波の場合、優れた高効率線形増幅特性を示す。その要因を検討するために、ドレイン電流一ゲート電圧特性の非線形性にもとずく第5次相互変調歪を解析した。解析結果は隣接チャンネル漏洩電力の測定値とよく一致した。この解析により、UHF帯パワーMOS FETの高効率線形増幅特性はおもにソース抵抗による負帰還効果によることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-10-21
著者
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