GSM用高効率Si-RFパワーMOSFETの開発
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概要
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欧州デジタル携帯電話の規格であるGSM (900MHz帯)用セルラ電話の送信用電力増幅器に使用される電源電圧3.6 V, 高効率Si-RFパワーMOSFETを開発した。素子の高効率化のために, CMOSLSIプロセスを使用してゲート長0.4 5μmの微細化を行なった。その結果, オン抵抗6.9Ω・mm, ドレイン耐圧13V, 遮断周波数11GHzが得られ, 高周波特性は, 出力電力1.8Wで, 電力利得10dB, 付加効率60%であった。また本素子をRFパワーモジュールに搭載し評価した結果, 出力電力4.0Wで, 総合効率50%を達成した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-05-20
著者
-
佐藤 孝弘
日立東部セミコンダクタ
-
吉田 功
日立製作所
-
松永 良国
ルネサステクノロジ
-
森川 正敏
日立製作所
-
藤岡 徹
株式会社日立製作所半導体グループ
-
草刈 ゆり
(株)日立超LSIシステムズ
-
森川 正敏
(株)日立製作所
-
藤岡 徹
(株)日立製作所
-
勝枝 嶺雄
(株)日立製作所
-
松永 良国
(株)日立製作所
-
神代 岩道
(株)日立製作所
-
小野沢 和徳
(株)日立製作所
-
吉田 功
(株)日立製作所
-
小野沢 和徳
日立
-
松永 良国
(株)日立メディコ技術研究所
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