1.8GHz帯SiパワーMOS増幅器の高出力化の検討
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概要
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サブミクロンゲート高周波パワーMOSFETおよび縮小化した並列整合を使用した終段増幅回路と集積化2段増幅素子を使用してドライバを小型化した1.8GHz帯高出力高効率パワーモジュールを開発した。その結果,電源電圧4.8Vにおいて出力1.6W,電力利得30dB,付加効率40%が達成された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-20
著者
-
吉田 功
日立製作所
-
勝枝 嶺雄
(株)日立製作所
-
勝枝 嶺雄
日立製作所半導体技術開発センタ
-
関根 健治
日立製作所・中央研究所
-
永田 穣
日立製作所・中央研究所
-
関根 健治
(株)日立製作所 中央研究所
-
関根 健治
日立製作所
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