U溝自己整合形パワーMOSFET (US-DMOS)の提案と評価
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティの論文
- 1992-02-25
著者
-
吉田 功
日立製作所
-
森川 正敏
日立製作所
-
森川 正敏
(株)日立製作所
-
吉田 功
(株)日立製作所
-
小林 正義
(株)日立製作所半導体設計開発センタ
-
福田 隆
(株)日立製作所半導体設計開発センタ
-
藤田 譲
(株)日立製作所半導体設計開発センタ
関連論文
- シングルチップSi-LDMOSによるGSM用パワーアンプ(VLSI一般(ISSCC2005特集))
- 携帯電話用SiパワーMOSFET技術の開発動向
- 携帯電話パワーアンプ用高周波パワーMOSFETの線形増幅特性
- 高効率2.2-GHz Si Power MOSFETの開発
- BSIMを用いたRF-LDMOSモデル
- GSM用高効率Si-RFパワーMOSFETの開発
- 1.9 GHz帯高効率パワーMOSFETの開発
- 1.8GHz帯SiパワーMOS増幅器の高出力化の検討
- 移動体無線用Si-MOS電力増幅器
- 移動体無線用SiパワーMOS集積デバイス
- 高周波SiパワーMOSFETにおける線形増幅特性
- SiパワーMOSFETの高周波・高効率化
- U溝自己整合形パワーMOSFET (US-DMOS)の提案と評価
- GSM用高効率Si-RFパワーMOSFETの開発
- GSM用高効率Si-RFパワーMOSFETの開発
- GSM用高効率Si-RFパワーMOSFETの開発
- 22)高耐圧MOSFETを用いた放電形表示装置駆動用IC(テレビジョン電子装置研究会(第56回)画像表示研究会(第15回)合同)
- 移動体通信用マイクロ波シリコンパワーMOSFET