SiパワーMOSFETの高周波・高効率化
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概要
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移動無線用電力増幅器に使用可能な低電圧・高効率のSiパワーMOSFETを開発した.主要な特性改善点は,サブミクロン金属ゲート構造と自己整合ドレーンコンタクト構造との組合せによるオン電圧の低減,遮断周波数の向上,出力容量の低減である.その結果,従来に比べ10%以上の付加効率の向上が図れ,1.5GHzでは出力電力1Wで付加効率60%が得られた.またディジタル変調時の50kHz離調・隣接チャネル漏洩電力50dBc,出力電力0.8Wで付加効率は53%であった.これにより,SiパワーMOSFETがUHF帯において良好な線形電力増幅特性を有することを明らかにした.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-11-25
著者
-
吉田 功
日立製作所
-
勝枝 嶺雄
(株)日立製作所
-
吉田 功
(株)日立製作所
-
丸山 泰男
日立製作所半導体技術開発センタ
-
大高 成雄
(株)日立製作所半導体事業部
-
丸山 泰男
(株)日立製作所半導体事業部
-
岡部 健明
(株)日立製作所半導体事業部
-
大高 成雄
(株)日立製作所
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