車載用バッテリ逆接続保護内蔵インテリジェントパワーMOSFETの提案

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概要

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• 車載用パワースイッチ回路ではバッテリ逆接続時でもパワースイッチ素子やそのシステムの破壊防止を行う保護機能が必要である。このため、パワーMOSFETを車載用パワースイッチに用いる場合にはドレィン・ソース間の寄生ダイオードを流れる負方向ドレイン電流を阻止するため逆接続保護ダイオードを直列接続する。しかし、保護用ダイオード追加による消費電力の増加、負荷への印加電圧低下、実装面積の増加が問題となっていた。本報告ではバッテリの逆接続保護回路を内蔵した低損失なインテリジェントパワーMOSFET(RBPFET:Reverse battery-protected power MOSFET)を考案し、試作評価したので報告する。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1996-09-18

著者

• 大高 成雄

  (株)日立製作所半導体事業部

• 大高 成雄

  (株)日立製作所

• 坂本 光造

  (株)日立製作所

• 渕上 伸隆

  (株)日立超LSIエンジニアリング

• 高川 恭一

  (株)日立製作所

• 高川 恭一

  (株)日立製作所半導体グループ

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