ハイサイドスイッチ用過熱保護内蔵インテリジェントパワーMOSFETの試作

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概要

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• 近年、車載用として過熱保護回路を内蔵して信頼性を向上したインテリジェントパワーMOSFETの研究、開発が盛んに行われている。一般に、車載用パワースイッチではN型パワーMOSFETをソースフォロアにしたハイサイドスイッチを用いるため、パワーMOSFETの遮断には、ゲート電圧が負になる。しかし、過熱保護回路が集積されたインテリジェントパワーMOSFETには、負ゲート電圧によりドレイン端子からゲート端子にリーク電流を流す寄生npnトランジスタが存在するという問題がある。本報告では、負ゲート電圧を低減する保護回路を備えた加熱保護内蔵パワーMOSFET(THERMAL FET)の試作、評価を行ったので報告する。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1996-03-11

著者

• 大高 成雄

  (株)日立製作所半導体事業部

• 大高 成雄

  (株)日立製作所

• 坂本 光造

  (株)日立製作所

• 角田 英樹

  (株)日立超LSIエンジニアリング

• 庄野 春虎

  (株)日立製作所

• 飯島 哲郎

  (株)日立製作所

• 中洲 正敏

  (株)日立東部セミコンダクター

• 野辺 一男

  (株)日立東部セミコンダクター

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