シングルチップSi-LDMOSによるGSM用パワーアンプ(VLSI一般(ISSCC2005特集))
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概要
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クアッドバンド対応の欧州携帯電話(GSM)向けのパワーアンプを、整合回路と全ての制御回路をオンチップ集積化したチップサイズ2.45×2.1mm^2のシングルチップSI-LDMOSを用いて実現した。GSM850/900バンドにおいて、36dBm出力電力時の電力付加効率は54%、入力VSWRも1.6以下と、従来のマルチチップによるパワーアンプに匹敵する特性を実現した。また、このシングルチップソリューションは、小形・低コストなパワーアンプモジュールを実現する必須技術であることを示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-05-20
著者
-
吉田 功
日立製作所
-
清水 敏彦
ルネサステクノロジ
-
松永 良国
ルネサステクノロジ
-
櫻井 智
ルネサステクノロジ
-
吉田 功
アナログ技術ネットワーク(ATN)
-
堀田 正生
武蔵工業大学
-
堀田 正生
日立メディコ
-
清水 敏彦
日立メディコ
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