樹脂埋め込み型高周波 MCM への STO 薄膜容量内藏プロセス技術の検討および周波数特性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
樹脂埋め込み型高周波MCMへの搭載を可能とするSTO(SrTiO_3)薄膜容量プロセス技術の検討ならびに試作した容量の高周波特性評価を行った。その結果, (1) 樹脂界面接着力は真空中での樹脂硬化処理およびCu基板にPdあるいはAlを被膜(膜厚200nm)することにより, Cu基板に対して約6倍に向上し, 基板からの樹脂はく離を防止できること, (2) 樹脂多層膜上に膜厚200nmのSTO薄膜容量を形成でき, 比誘電率35, 容量密度1400pF/mm^2で3GHzまで平坦な周波数特性が得られることを確認した。また, (3) 特性改善にはSTO膜質の改善や寄生インダクタンスの低減が必要であることを明らかにした。今後はMCMトータルプロセス中でSTO薄膜容量の特性向上を図っていく。
- 社団法人エレクトロニクス実装学会の論文
- 2001-11-01
著者
関連論文
- C-12-67 参照電位プリチャージ方式を用いた770MS/s, 8bitサブレンジング型ADC(C-12.集積回路,一般セッション)
- FBG光ファイバセンシングシステムにおける高速・高精度計測方式の検討(高機能光ファイバ及び一般)
- 化学的ウエットエッチングによる樹脂フィルム上へのSrTiO_3薄膜容量形成プロセス技術
- SC-9-3 裏面エミッタ電極を有する小型 InGaP/GaAs コレクタアップ・トンネリングコレクタ HBT
- C-10-3 裏面エミッタ電極を有するInGaP/GaAsコレクタアップ・トンネリングコレクタHBTの試作
- 樹脂埋め込み型高周波 MCM への STO 薄膜容量内藏プロセス技術の検討および周波数特性
- 小径および均一フィラー添加埋め込み樹脂の開発およびその樹脂埋め込み型高周波 MCM への応用
- 樹脂埋込み型GHz帯フェイスアップ高周波MCM (特集 情報・通信の変革に伴う 基板材料の新展開) -- (実装基板--3.高周波回路用)
- 樹脂埋め込み型GHz帯高周波MCM技術 (実装技術ガイドブック1999年) -- (実装プロセス編)
- 樹脂埋め込み型高周波 MCM の新構造とエッチング/プレス一括成形工法
- 樹脂埋め込み型フェイスアップ高周波 MCM
- DPAE技術を用いた17Gb/s光配線用VCSELドライバ (集積回路)
- C-12-7 磁界相殺構造を有する低クロストークインダクタの一提案(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-51 非対称エンファシスVCSELドライバを用いた10Gb/s伝送実験(有線通信(2),C-12.集積回路,一般セッション)
- Yuen 2000プロトコルによる物理暗号のためのRandomizationの実装回路の考察(光エレクトロニクス)
- 小型・低電圧駆動RF-MEMSスイッチ(通信デバイス・回路)
- C-12-22 高速DAC LSIを用いた8PAM 30Gb/s伝送実験(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-8 10Gb/s光通信量子暗号(Y-00)伝送用変調器ドライバLSIの検討(C-12.集積回路ACD,一般講演)
- B-13-41 FBG連続作製におけるオンタイムモニタリングシステム(B-13.光ファイバ応用技術,一般講演)
- B-13-26 FBG光防災システムにおける高速波長検出方式の一検討(B-13.光ファイバ応用技術,一般講演)
- C-12-14 DPAE技術を用いた17Gb/s光配線用VCSELドライバ(センサ・有線通信,C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-57 非対称エンファシスVCSELドライバにおけるジッタの消光比依存性(C-12.集積回路,一般セッション)
- 非対称エンファシス技術を用いた光配線用90-nm CMOS 4 × 10Gb/s VCSELドライバ
- 樹脂上に形成した高Q薄膜インダクタの一検討
- 1.9GHz帯セルラ用小型電力増幅器MCM
- C-12-13 光配線用VCSELドライバ向けDPAE技術の提案(センサ・有線通信,C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-21 10GS/s,10bit DAC LSIの特性評価(C-12.集積回路,一般セッション)
- DPAE技術を用いた17 Gb/s光配線用VCSELドライバ(ドライバ回路と新アーキテクチャ,デザインガイア2010-VLSI設計の新しい大地-)
- DPAE技術を用いた17Gb/s光配線用VCSELドライバ(ドライバ回路と新アーキテクチャ,デザインガイア2010-VLSI設計の新しい大地)
- 大きな接触力と復元力を有する低電圧駆動オーミック型RF-MEMSスイッチ(通信デバイス・回路)
- C-2-119 減衰極を有する共振モード切替え形BPFの一提案(C-2. マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- FBGセンシングシステムにおける高速・高精度波長計測方式の提案(計測・探査)
- B-13-38 光ファイバ防災システムにおけるFBG応力及び位置精度の検討(B-13.光ファイバ応用技術,一般講演)
- B-13-22 FBGを用いた光ファイバ防災システムの一検討(B-13.光ファイバ応用技術, 通信2)
- B-13-21 FBGを用いた光ファイバ防災システムにおけるセンサ接続方法の検討(B-13.光ファイバ応用技術, 通信2)
- 通信システム(最先端システム実装の設計思想)
- DPAE技術を用いた17Gb/s光配線用VCSELドライバ (電子部品・材料)
- B-10-31 10Gbit/s光通信量子暗号(Y-00)伝送装置のフィールド伝送実験(B-10.光通信システムB(光通信),一般セッション)
- C-5-13 2波長プッシュプル反射計測方式(DWPR)の提案(C-5.機構デバイス,一般講演)
- C-2-43 2段階駆動構造によるRF-MEMSスイッチの高速・低電圧化の検討(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- C-2-86 Ohmic型サンドイッチ構造RF-MEMSスイッチ(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- C-12-66 閾値設定機能内蔵コンパレータにおける閾値補正技術(C-12.集積回路,一般セッション)
- 負性インピーダンス回路によるトランスインピーダンスアンプの広帯域化手法
- 変調電流・バイアス電流同時制御方式を適用したGbit/s帯光配線用VCSEL駆動回路LSI(集積エレクトロニクス)
- 光通信量子暗号Y-00の安全性能力評価装置(フォトニックネットワーク/制御,光制御(波長変換・スイッチング等),光波/量子通信,GMPLS,一般)
- C-12-31 0.18μm CMOS技術を用いた10Gb/s EA変調器ドライバ(C-12.集積回路C(アナログ),エレクトロニクス2)
- C-12-30 0.18-μm CMOS 10-Gb/s 1:4 DEMUXピーキング回路方式検討(C-12.集積回路C(アナログ),エレクトロニクス2)
- C-12-29 0.18-μm CMOS 10-Gb/s 4:1 MUXの低消費電力化・面積削減検討(C-12.集積回路C(アナログ),エレクトロニクス2)
- C-12-28 0.18μm CMOS技術を用いた低雑音10GHz VCO(C-12.集積回路C(アナログ),エレクトロニクス2)
- CS-4-3 2波長擬似ランダム符号相関方式によるBOF温度センシングの試み(CS-4.センシング・計測技術,シンポジウム)
- 鹿児島大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻山下研究室
- C-12-20 ボディバイアス制御回路つきS/H回路におけるフィールドスルー低減技術(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- C-12-33 ボディバイアス制御回路を具備した高精度S/H回路(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- C-12-25 アナ・デジ混載LSI用PCB信号線間アイソレーションに関する検討(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- C-5-17 RF-MEMSスイッチ電極接触部のオーミック特性解析シミュレータ(C-5. 機構デバイス,一般セッション)
- C-2-123 Toggle原理を用いたシーソー構造型RF-MEMS SPDTスイッチ(C-2. マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- C-12-34 高速コンパレータのオフセットキャンセル回路方式の一検討(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- C-12-32 10Gbps光配線用開ループ型VCSEL駆動回路(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- CS-2-1 低電圧駆動・広ダイナミックレンジMEMS可変キャパシタ(CS-2.可変マイクロ波回路,シンポジウム)
- 低電圧駆動・広チューニングレンジ・高線形性のRF-MEMS可変キャパシタ
- C-12-17 3GS/s 6bitフラッシュ型CMOS ADC LSI (2) : 試作結果(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- C-12-16 3GS/s 6bitフラッシュ型ADC LSI(1) : コンパレータの高速化及び高感度化(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- B-4-103 多芯ケーブル用コネクタのGND処理による放射EMIへの影響(B-4.環境電磁工学)
- B-4-70 FPCを用いた微小磁界プローブ(B-4.環境電磁工学)
- B-10-78 0.18μm CMOS ゲートを用いた 10Gb/s 光伝送用前置増幅器の一提案
- C-2-26 RF携帯端末用小型・低電圧駆動RF-MEMSスイッチ(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)