完全空乏化及び部分空乏化型SOI-MOSFETの短チャネル効果に関する容量ネットワークモデルに基づく比較

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概要

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• 微細なSOI-MOSFETの特性に及ぼす二次元的な電位分布の影響を簡便に取り扱える新しい解析モデル(容量ネットワークモデル)を提案する。これは、電流が流れるチャネル部と各電極間の容量によって構成されるネットワークに着目し、二次元電界の影響を簡単に取り扱うことを目的としたものである。本報告では、モデルの妥当性を示すとともに、計算結果とモデル式を照らし合わせることにより、完全空乏化型SOI-MOFETにおける短チャネル効果の起源を考察する。また、部分空乏化型SOI-MOSFETについては、デバイスシミュレータにより抽出した上記の容量を用いて、Sファクタの素子構造体存性に関する、完全空乏化型SO-IMOSFETとの異同をこのモデルに基づいて議論する。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1996-03-11

著者

• 黄 俐昭

  Necシリコンシステム研究所

• 松本 比呂志

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 黄 俐昭

  Necマイクロエレクトロニクス研究所

• Koh R

  Silicon Systems Research Labs.

• Koh Risho

  Silicon Systems Research Laboratories Nec Corporation

• Koh Risho

  Microelectronics Reserch Laboratory Nec Corp.

• Koh Risho

  Microelectronics Research Laboratories Nec Corporation

• Koh Risho

  Microelectronics Research Labs. Nec Corp.

• Koh Risho

  Silicon Systems Research Laboratory Nec Corporation

• Koh Risho

  Microelectronics Res. Labs. Nec Corp.

• 松本 比呂志

  Necエレクトロニクス

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