レーザー3次元アトムプローブによる半導体材料中のドーパント分布解析(最近の研究から)

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概要

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• 3次元アトムプローブは,針状試料に高電圧を印加することで電界蒸発と呼ばれる試料先端表面原子のイオン化脱離現象を引き起こし,蒸発したイオンを一つ一つ検出することで材料中の3次元元素マッピングが可能な手法である.近年,レーザーで電界蒸発を補助する技術により,従来困難とされてきた半導体や絶縁体材料の分析が可能となった.本稿ではMOSトランジスタ等の半導体材料中の微量ドーパント分布解析への応用例を紹介する.

• 2012-09-05

著者

• 高見澤 悠

  東北大金研

• 清水 康雄

  東北大金研

• 高見澤 悠

  東北大学大学院工学研究科

• 井上 耕治

  京都大学大学院工学研究科:(現)東北大学金属材料研究所

• 清水 康雄

  東北大学金属材料研究所

• 井上 耕治

  京都大学大学院工学研究科

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