大谷 昇 | 関西学院大学sic材料・プロセス研究開発センター

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関連著者

• 大谷 昇

  関西学院大学sic材料・プロセス研究開発センター

• 大谷 昇

  関西学院大学 SiC 材料・プロセス研究開発センター

• 西谷 滋人

  関西学院大理工

• 金子 忠昭

  関西学院大理工

• 西谷 滋人

  関西学院大学理工学部情報科学科

• 金子 忠昭

  関西学院大学理工学部物理学科

• 大谷 昇

  関西学院大院大理工

• 大谷 昇

  関西学院大院理工:関学sicセ

• 西谷 滋人

  関西学院大・理工

• 寺井 健太

  関西学院大院大理工

• 寺井 健太

  関西学院大院理工

• 戸賀瀬 健介

  関西学院大理工

• 竹田 諒平

  関西学院大学理工学部情報科学科

• 石井 英樹

  関西学院大学理工学部情報科学科

• 山本 洋佑

  関西学院大学理工学部情報科学科

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著作論文

• 22aWA-2 SiC多形の熱膨張の第一原理計算(22aWA 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 22aWA-3 SiC表面エネルギーの第一原理計算(22aWA 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 22aWA-1 SiC表面拡散の第一原理計算(22aWA 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 大口径SiC単結晶基板の開発動向
• パワーデバイス用SiC単結晶エピタキシャル基板の開発動向 (特集 最近のLEDとパワーデバイスの現状と将来)

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