金子 忠昭 | 関西学院大学理工学部物理学科

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• 金子 忠昭

  関西学院大理工

• 金子 忠昭

  関西学院大学理工学部物理学科

• 西谷 滋人

  関西学院大理工

• 西谷 滋人

  関西学院大学理工学部情報科学科

• 西谷 滋人

  関西学院大・理工

• 竹田 諒平

  関西学院大学理工学部情報科学科

• 石井 英樹

  関西学院大学理工学部情報科学科

• 金子 忠昭

  関学大理工

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• 大谷 昇

  関西学院大院理工:関学sicセ

• 大谷 昇

  関西学院大学sic材料・プロセス研究開発センター

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  関西学院大学 SiC 材料・プロセス研究開発センター

• 藤原 伸介

  関西学院大学理工学部生命科学科:ナノバイオテクノロジー研究開発センター

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  関西学院大理工

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  関学大理工

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  関西学院大学理工学部物理学科:ナノ界面創生センター

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• 藤原 伸介

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著作論文

• 22aWA-2 SiC多形の熱膨張の第一原理計算(22aWA 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 23pYF-5 SiC多形の高温安定性の第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 25pYK-2 SiC表面エネルギーの第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(半導体,理論,力学物性),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 25pYK-1 SiC結晶成長の第一原理計算(領域10,領域9合同(結晶成長),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 擬調和振動子近似による振動自由エネルギーの第一原理計算
• 22aWA-3 SiC表面エネルギーの第一原理計算(22aWA 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 22aWA-1 SiC表面拡散の第一原理計算(22aWA 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 21aXK-4 準安定溶媒エピタキシー法によるSiC単結晶作成(結晶成長,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21pTD-1 SiCの有限温度における相安定性の第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子論),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 21pTD-2 準安定溶媒エピタキシーにおける濃度プロファイル(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子論),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 21pTD-3 準安定溶媒法(MSE)における炭素濃度変化のシミュレーション(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子論),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• Metastable Solvent EpitaxyによるSiCの結晶成長シミュレーション
• 22aYD-2 透過型 X 線反射率による Ga/GaAs 融液成長のその場観察
• 17pWD-13 GaAs(111)BにおけるRHEED強度振動異常を用いた(2×2)→(√×√)相転移の動的解明
• 17pWD-12 GaAs(100)成長初期におけるRHEED強度振動異常の解明
• 珪藻殻自己組織化機能を用いた人工バイオミネラリゼーション(ナノバイオテクノロジー)
• 珪藻殻自己組織化機能を用いた人工バイオミネラリゼーション
• "その場"マスクレス・ナノリソグラフィ (特設記事 21世紀を創るエレクトロニクス技術)
• 22pGQ-10 SiC結晶多形における振動自由エネルギーの第一原理計算(22pGQ 格子欠陥・ナノ構造(半導体・誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

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