23pYF-5 SiC多形の高温安定性の第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
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概要
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- 2008-02-29
著者
-
西谷 滋人
関西学院大理工
-
金子 忠昭
関西学院大理工
-
西谷 滋人
関西学院大学理工学部情報科学科
-
金子 忠昭
関西学院大学理工学部物理学科
-
竹田 諒平
関西学院大学理工学部情報科学科
-
石井 英樹
関西学院大学理工学部情報科学科
-
西谷 滋人
関西学院大・理工
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