石井 英樹 | 関西学院大学理工学部情報科学科
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概要
関連著者
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金子 忠昭
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山本 洋佑
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関西学院大院理工:関学sicセ
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関西学院大学sic材料・プロセス研究開発センター
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関西学院大学 SiC 材料・プロセス研究開発センター
著作論文
- 22aWA-2 SiC多形の熱膨張の第一原理計算(22aWA 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 23pYF-5 SiC多形の高温安定性の第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 擬調和振動子近似による振動自由エネルギーの第一原理計算
- 21pTD-2 準安定溶媒エピタキシーにおける濃度プロファイル(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子論),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)